Diodes Inc. Zxm64P03X

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Mosfet, N, 60V, 0.27A, E-Line; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:270Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):7.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |DIODES INC.

Vn10Lp VN10LP.Diodes Inc.

Transistor, Pnp, Sot23-6; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:12V; Frequenza Di Transizione Ft:55Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1.1W; Corrente Di Collettore Cc:4A; Guadagno Di Corrente Cc Hf |DIODES INC.

Zxt13P12De6 ZXT13P12DE6.

Transistor, Npn, Sot23-6; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Frequenza Di Transizione Ft:115Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1.1W; Corrente Di Collettore Cc:4A; Guadagno Di Corrente Cc H |DIODES INC.

Diodes Inc. Zxt13N50De6 ZXT13N50DE6.

Mosfet, P, Msop-8; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |DIODES INC.

Diodes Inc. Zxm64P03X ZXM64P03X.

Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:15A; Corrente Ic @ Vce Sat:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:4A; Corrente Ic Tipica:4A; Corrente Ic Hfe:1Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Hfe Min.:300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:55Mhz; Marcatura Dispositivo:Zxt13P12De6; Marcatura Smd:P12D; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):10Mv; Tensione Vcbo:20V |DIODES INC.

Zxt13P12De6.

Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:10A; Corrente Ic @ Vce Sat:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:4A; Corrente Ic Tipica:5A; Corrente Ic Hfe:1Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Hfe Min.:300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:115Mhz; Marcatura Dispositivo:Zxt13N50De6; Marcatura Smd:N50D; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):12Mv; Tensione Vcbo:100V |DIODES INC.

1W; Corrente Di Collettore Cc:4A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:450Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Diodes Inc.

Diodes Inc. Zxm64P03X

8W; Modello Case Transistor:Msop; No.

Diodes Inc. Zxm62P03E6

Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:150Mohm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:-12V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tensione Vgs Th Min:-1V |DIODES INC. ZXM62P03E6.6A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.Mosfet, P, Sot-23-6; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:2.

Diodes Inc. Zxm64P03X

8W; Modello Case Transistor:Msop; No.075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:1. Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:75Mohm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:-20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tensione Vgs Th Min:-1V |DIODES INC. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:-3.