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Diodes Inc.

Diodes Inc. Zxm64P03X

About The 8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |DIODES INC

Mosfet, P, Msop-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: ,DIODES INC. ZXM64P03X

Semiconduttori - Discreti

Diodes Inc. Zxm64P03X

Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:15A; Corrente Ic @ Vce Sat:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:4A; Corrente Ic Tipica:4A; Corrente Ic Hfe:1Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Hfe Min.:300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:55Mhz; Marcatura Dispositivo:Zxt13P12De6; Marcatura Smd:P12D; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):10Mv; Tensione Vcbo:20V |DIODES INC.
Transistor, Npn, Sot23-6; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Frequenza Di Transizione Ft:115Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1.1W; Corrente Di Collettore Cc:4A; Guadagno Di Corrente Cc H |DIODES INC.
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Semiconduttori - Discreti

Specifications of Diodes Inc. Zxm64P03X

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, N, E-Line; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:320Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4 |DIODES INC.
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    Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:15A; Corrente Ic @ Vce Sat:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:4A; Corrente Ic Tipica:4A; Corrente Ic Hfe:1Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Hfe Min.:300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:55Mhz; Marcatura Dispositivo:Zxt13P12De6; Marcatura Smd:P12D; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):10Mv; Tensione Vcbo:20V |DIODES INC.

    ZXT13P12DE6 Transistor, Pnp, Sot23-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:12V; Frequenza Di Transizione Ft:55Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1.

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