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Semiconduttori - Discreti
Diodes Inc.

Diodes Inc. Ztx751

About The Transistor, Bipol Pnp, -60V, -2A, E-Line; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-60V; Frequenza Di Transizione Ft:140Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:-2A; Guadagno |DIODES INC. ZTX751

Transistor, Bipol Pnp, -60V, -2A, E-Line; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-60V; Frequenza Di Transizione Ft:140Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:-2A; Guadagno ,DIODES INC. ZTX751

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Specifications of Diodes Inc. Ztx751

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Diodo, Schottky, Bassa Perdita; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):1.16A; Tensione Diretta Vf Max:560Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:22A; Temperatura Di |DIODES INC.
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    • Diodo, Schottky, Bassa Disper; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):700Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:13A; Temperatura Di Ese |DIODES INC.
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    • Di Pin:6Pin; Gamma Prodotti:Zhcs2 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Diretta If Max:2A; Corrente Diretta Di Picco:2A; Corrente If @ Vf:2A; Corrente Ifsm:20A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Larghezza Esterna:3Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:1.45Mm; Marcatura Smd:Zs2; Profondità Esterna:3Mm; Temperatura Di Giunzione Tj Max:125°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:5.5Ns; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:5.5Ns; Tipo Di Diodo:Schottky |DIODES INC.

    Di Pin:6Pin; Gamma Prodotti:Zhcs2 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Diretta If Max:2A; Corrente Diretta Di Picco:2A; Corrente If @ Vf:2A; Corrente Ifsm:20A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Larghezza Esterna:3Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:1.45Mm; Marcatura Smd:Zs2; Profondità Esterna:3Mm; Temperatura Di Giunzione Tj Max:125°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:5.5Ns; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:5.5Ns; Tipo Di Diodo:Schottky |DIODES INC.

    Zhcs2000.ZHCS2000 Diodo, Schottky, 2A, 40V; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):2A; Tensione Diretta Vf Max:500Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:20A; Temperatura Di Esercizio Max:125°C; Modello Involucro Diodo:Sot-26; No.

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