Mosfet, N, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.8A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4 ,DIODES INC. ZXMN10A11G
Semiconduttori - Discreti
Diodes Inc. Zxmn10A11G
Specifications of Diodes Inc. Zxmn10A11G | |
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