Diodes Inc. Zxmn10A07F

8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.Mosfet, N, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (15-Jan-2019); Corrente Id Max:4.

Mosfet, N, Sot-23-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:100Mohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:1V |DIODES INC.

ZXMN6A07FTA.Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

6A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.7W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. ZXMN3A01F. Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:120Mohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:1V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:1V |DIODES INC.12Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:806Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (15-Jan-2019); Corrente Id Max:2.8A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:2W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:Zxmn10A11; No.Mosfet, N, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.

5A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:625Mw; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:7N1; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:640Ma; Corrente Di Impulso Idm:2. ZXMN10A07F.

16A; Tensione Diretta Vf Max:640Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:36A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-23; No.

Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:1Ohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:100V; Tensione Vgs Max:4V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:2V |DIODES INC.5A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:625Mw; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:7N1; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:640Ma; Corrente Di Impulso Idm:2.

Zlls2000.16A; Tensione Diretta Vf Max:640Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:36A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-23; No.ZLLS2000 Diodo, Schottky, Bassa Perdita; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):1. Diodes Inc.