Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.12Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:806Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:2A; Corrente Di Impulso Idm:8A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:625Mw; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:7N3; No. Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:120Mohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:1V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:1V ,DIODES INC. ZXMN3A01F
Semiconduttori - Discreti
Diodes Inc. Zxmn3A01F
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