reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Diodi
Semiconduttori - Discreti
Diodes Inc.

Diodes Inc. Zxmn3A01F

About The Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:120Mohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:1V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:1V |DIODES INC

Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.12Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:806Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:2A; Corrente Di Impulso Idm:8A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:625Mw; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:7N3; No. Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:120Mohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:1V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:1V ,DIODES INC. ZXMN3A01F

Semiconduttori - Discreti

Diodes Inc. Zxmn3A01F

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Diodes Inc. Zxmn3A01F

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
Instockinstock

Last Updated

Diodes Inc. Zxmn3A01F
More Varieties

Rating :- 8.22 /10
Votes :- 50