Diodes Inc. Zxmn6A08E6

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Mosfet, N, Sot-223; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.14Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1 |DIODES INC.

Zxmn6A11G ZXMN6A11G.Diodes Inc.

Mosfet, N, Sot-23-6; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; |DIODES INC.

Zxmn6A08E6 ZXMN6A08E6.

Mosfet, N, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; D |DIODES INC.

Diodes Inc. Zxmn6A07Fta ZXMN6A07FTA.

Mosfet, N, Sot-23-6; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.6A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.05Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |DIODES INC.

Diodes Inc. Zxmn3A03E6 ZXMN3A03E6.

Mosfet, N, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.12Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; |DIODES INC.

Diodes Inc.

Diodes Inc. Zxmn6A11G

Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:140Mohm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:1V |DIODES INC.4A; Corrente Di Impulso Idm:10A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:2W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Marcatura Smd:Zxmn6A11; No.8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Diodes Inc. Zxmn6A08E6

Mosfet, N, Sot-23-6; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Diodes Inc. Zxmn6A07Fta

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:1A; Corrente Di Impulso Idm:4A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:625Mw; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Marcatura Smd:7N6; No.4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:806Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No. ZXMN6A07FTA.

Diodes Inc. Zxmn6A08E6

1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.5A; Corrente Di Impulso Idm:4A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Marcatura Smd:6A8; No. Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:100Mohm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:1V |DIODES INC. Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:3.

Diodes Inc. Zxmn6A07Fta

Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:400Mohm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:3V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:1V |DIODES INC.