Diodes Inc. Zxmn6A11G

ZXMN6A11G Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:140Mohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:1V ,DIODES INC. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (15-Jan-2019); Corrente Id Max:4.4A; Corrente Di Impulso Idm:10A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:2W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:Zxmn6A11; No. Mosfet, N, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.14Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.9W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

Semiconduttori - Discreti

Diodes Inc. Zxmn6A11G