reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Diodi
Semiconduttori - Discreti
Diodes Inc.

Diodes Inc. Zxmn3A01F

About The Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. ZXMN3A01F

Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.12Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; ,DIODES INC. ZXMN3A01F

Semiconduttori - Discreti

Diodes Inc. Zxmn3A01F

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Diodes Inc. Zxmn3A01F

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
Instockinstock

Last Updated

Diodes Inc. Zxmn3A01F
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.22 /10
Votes :- 50
Transistor Darlington, E-Line; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:80V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:1A; Guadagno Di Corrente C |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor Darlington, E-Line; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:800Ma; Guadagno Di Corrente Cc |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.14Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1 |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, Sot-23-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; D |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, Sot-23-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.6A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.05Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.12Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Diodes Inc. Zxmn6A11G

    Diodes Inc. Zxmn6A11G

    9W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.12Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Diodes Inc. Zxmn6A11G

    Diodes Inc. Zxmn6A11G

    9W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.14Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:3. ZXMN6A11G.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.