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Diodes Inc.

Diodes Inc. Zxmn6A08E6

About The Mosfet, N, Sot-23-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; |DIODES INC

Mosfet, N, Sot-23-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; ,DIODES INC. ZXMN6A08E6

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Specifications of Diodes Inc. Zxmn6A08E6

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Transistor, Npn, E-Line; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:2A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe: |DIODES INC.
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