Diodes Inc. Zvn3306F

Zvn3310F.ZVN3310F Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2. Diodes Inc.

Diodes Inc. Vn10Lf VN10LF.

12Mm; Marcatura Dispositivo:Zvn3306F; Marcatura Smd:Mc; No.Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2. ZVN3306F. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:150Ma; Corrente Di Impulso Idm:3A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:330Mw; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:3.

FMMT593TA. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:1A; Corrente Ic Continua A Max:1A; Corrente Ic Hfe:250Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:500Mw; Hfe Min.

Transistor, Npn, 100V, 1A, Sot-23; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Corrente Di Collettore Cc:1A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Diodes Inc. Zvp3306F ZVP3306F.

Zvn3306F ZVN3306F.Diodes Inc.

Zvn4424A ZVN4424A.

Diodes Inc. Zvn3306F ZVN3306F.

Zvn4424A ZVN4424A.