Diodes Inc. Zvp3306F

Zvn4106F ZVN4106F.Diodes Inc.

ZVN3310F Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.

Vn10Lf VN10LF.Diodes Inc.

4V; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No. ZVN3306F.12Mm; Marcatura Dispositivo:Zvn3306F; Marcatura Smd:Mc; No.Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.

Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):-200Mv; Tensione Vcbo:120V |DIODES INC. FMMT593TA.:100; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:50Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:150Mhz; Marcatura Dispositivo:Mt593; Marcatura Smd:593; No.Transistor, Pnp, Sot-23; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Corrente Di Collettore Cc:-1A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

:100; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:150Mhz; Marcatura Dispositivo:Mt493; Marcatura Smd:493; No.

Zvp3306F ZVP3306F.Diodes Inc.

Zvn3306F ZVN3306F.

Diodes Inc. Zvp3306F ZVP3306F.

Zvn3306F ZVN3306F.