Diodes Inc. Zvn3310F

Rating :- 8.24 /10

Votes :- 52

Transistor, Pnp, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Corrente Di Collettore Cc:-1A; Guadagno Di Corrente Cc |DIODES INC.

Fmmt591 FMMT591.Diodes Inc.

Transistor, Npn, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Corrente Di Collettore Cc:1A; Guadagno Di Corrente Cc H |DIODES INC.

Fmmt491 FMMT491.

Transistor, Pnp, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:300V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente C |DIODES INC.

Diodes Inc. Fmmta92Ta FMMTA92TA.

Transistor, Npn, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:300V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente C |DIODES INC.

Diodes Inc. Fmmta42 FMMTA42.

Mosfet, P, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:75Ma; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):20Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:- |DIODES INC.

Diodes Inc.

Mosfet, N, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:200Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |DIODES INC.

Diodes Inc. Zvn4106F ZVN4106F.

|DIODES INC.

ZVN3310F Mosfet, N, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2. Zvn3310F. Diodes Inc.

Mosfet, N, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V |DIODES INC.

Diodes Inc. Vn10Lf VN10LF.

|DIODES INC.

Zvn3310F. Diodes Inc.ZVN3310F Mosfet, N, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.

Mosfet, N, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V |DIODES INC.

Diodes Inc.