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Semiconduttori - Discreti
Diodes Inc.

Diodes Inc. Fmmt591

About The FMMT591.Transistor, Pnp, Sot-23; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Corrente Di Collettore Cc:-1A; Guadagno Di Corrente Cc |DIODES INC

Transistor, Pnp, Sot-23; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Corrente Di Collettore Cc:-1A; Guadagno Di Corrente Cc ,DIODES INC. FMMT591

Semiconduttori - Discreti

Diodes Inc. Fmmt591

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Diodes Inc. Fmmt591

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Diodes Inc. Fmmt591
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Diodes Inc. Vn10Lf

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5Mm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:2. Di Transistor:1; Profondità Esterna:2. VN10LF.

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    Diodes Inc. Zvp3306F

    Mosfet, P, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:90Ma; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):14Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3.6A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:330Mw; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:3. ZVP3306F.5Mm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-60V |DIODES INC.

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    • Transistor, Npn, Sot-223; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:130Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:3W; Corrente Di Collettore Cc:6A; Guadagno Di Corrente Cc Hf |DIODES INC.
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