reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Diodes Inc.

Diodes Inc. Fmmt38C

About The Transistor Darlington, Sot-23; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Corrente Di Collettore Cc:300Ma; Guadagno Di Corrente |DIODES INC. FMMT38C

Transistor Darlington, Sot-23; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Corrente Di Collettore Cc:300Ma; Guadagno Di Corrente ,DIODES INC. FMMT38C

Semiconduttori - Discreti

Diodes Inc. Fmmt38C

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Diodes Inc. Fmmt38C

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Diodes Inc. Fmmt38C
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.24 /10
Votes :- 55
Diodes Inc. Zvn3310F

Diodes Inc. Zvn3310F

4V; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Diodes Inc. Vn10Lf

    Diodes Inc. Vn10Lf

    05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Diodes Inc. Zvp3306F

    Diodes Inc. Zvp3306F

    ZVP3306F.12Mm; Marcatura Dispositivo:Zvp3306F; Marcatura Smd:Ml; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Npn, Sot-223; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:130Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:3W; Corrente Di Collettore Cc:6A; Guadagno Di Corrente Cc Hf |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Npn, Sot-223; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:130Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:3W; Corrente Di Collettore Cc:6A; Guadagno Di Corrente Cc Hf |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.