Diodes Inc. Zvp3306F

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:200Ma; Corrente Ic Continua A Max:200Ma; Corrente Ic Hfe:10Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:350Mw; Hfe Min.:40; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:50Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:50Mhz; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Smd:4E; No. Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):-500Mv; Tensione Vcbo:300V |DIODES INC.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:200Ma; Corrente Ic Continua A Max:200Ma; Corrente Ic Hfe:10Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:350Mw; Hfe Min.:40; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:50Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:50Mhz; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Smd:3E; No.Transistor, Npn, Sot-23; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:300V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:40Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):500Mv; Tensione Vcbo:300V |DIODES INC.

5V; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.12Mm; Marcatura Dispositivo:Zvp3310F; Marcatura Smd:Mr; No.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.Mosfet, P, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:75Ma; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):20Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3.

ZVN4106F. Di Transistor:1; Profondità Esterna:2.12Mm; Marcatura Dispositivo:Zvn4106F; Marcatura Smd:Mz; No.5Mm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:3V |DIODES INC.

05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.12Mm; Marcatura Dispositivo:Zvn3310F; Marcatura Smd:Mf; No.

12Mm; Marcatura Dispositivo:Vn10Lf; Marcatura Smd:My; No.

Di Transistor:1; Profondità Esterna:2.

Diodes Inc.

5Mm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-60V |DIODES INC.

Fzt853 FZT853.Diodes Inc.