Diodes Inc. Zvn4106F

25V; Tensione Vcbo:80V |DIODES INC.5Mm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1. FMMT38C.

:100; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:150Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:150Mhz; Marcatura Dispositivo:Mt591; Marcatura Smd:591; No.Transistor, Pnp, Sot-23; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Corrente Di Collettore Cc:-1A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:1A; Corrente Ic Continua A Max:1A; Corrente Ic Hfe:500Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:500Mw; Hfe Min. FMMT591.

Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):150Mv; Tensione Vcbo:80V |DIODES INC.

Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):-500Mv; Tensione Vcbo:300V |DIODES INC. FMMTA92TA.:40; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:50Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:50Mhz; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Smd:4E; No.Transistor, Pnp, Sot-23; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:300V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:40Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

:40; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:50Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:50Mhz; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Smd:3E; No.

5Mm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-100V |DIODES INC.12Mm; Marcatura Dispositivo:Zvp3310F; Marcatura Smd:Mr; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:75Ma; Corrente Di Impulso Idm:1.2A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:330Mw; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:3.

Di Transistor:1; Profondità Esterna:2.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:200Ma; Corrente Di Impulso Idm:3A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:330Mw; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:3.

05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.

5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No. ZVN4106F.

4V; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.12Mm; Marcatura Dispositivo:Zvn3310F; Marcatura Smd:Mf; No.