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Semiconduttori - Discreti
Diodes Inc.

Diodes Inc. Fzt951

About The Transistor, Pnp, Sot-223; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:120Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:3W; Corrente Di Collettore Cc:-5A; Guadagno Di Corrente Cc Hf |DIODES INC. FZT951

Transistor, Pnp, Sot-223; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:120Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:3W; Corrente Di Collettore Cc:-5A; Guadagno Di Corrente Cc Hf ,DIODES INC. FZT951

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Diodes Inc. Fzt951

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Diodes Inc. Fzt951

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Diodes Inc. Fzt853

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Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:6A; Corrente Ic Continua A Max:6A; Corrente Ic Hfe:2A; Corrente Pulsata Icm:10A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:3W; Hfe Min.:100; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:130Mhz; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Smd:Fzt853; No. Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):50Mv; Tensione Vcbo:200V |DIODES INC.

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    • Transistor Darlington, Sot-223; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:120V; Frequenza Di Transizione Ft:160Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Corrente Di Collettore Cc:-2A; Guadagno Di Corrent |DIODES INC.
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    • Transistor Darlington, Sot-223; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:120V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Corrente Di Collettore Cc:1.5A; Guadagno Di Corren |DIODES INC.
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    • Mosfet, N, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; |DIODES INC.
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