Diodes Inc. Zvn4206G
About The Di Transistor:1; Profondità Esterna:7.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No
ZVN4206G Di Transistor:1; Profondità Esterna:7.3Mm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V ,DIODES INC. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (15-Jan-2019); Corrente Id Max:1A; Corrente Di Impulso Idm:8A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:2W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:6.7Mm; Larghezza Nastro:12Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.7Mm; Marcatura Smd:Zvn4206; No. Mosfet, N, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.
Semiconduttori - Discreti
Diodes Inc. Zvn4206G
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Diodes Inc. Zvn4206G | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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