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Diodes Inc.

Diodes Inc. Fzt749

About The Transistor, Pnp, Sot-223; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-25V; Frequenza Di Transizione Ft:160Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Corrente Di Collettore Cc:3A; Guadagno Di Corrente Cc Hf |DIODES INC. FZT749

Transistor, Pnp, Sot-223; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-25V; Frequenza Di Transizione Ft:160Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Corrente Di Collettore Cc:3A; Guadagno Di Corrente Cc Hf ,DIODES INC. FZT749

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Specifications of Diodes Inc. Fzt749

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Diodes Inc. Fzt649

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Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:3A; Corrente Ic Continua A Max:3A; Corrente Ic Hfe:1A; Corrente Pulsata Icm:8A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:2W; Hfe Min.:100; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:150Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:240Mhz; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Smd:Fzt649; No. Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):300Mv; Tensione Vcbo:35V |DIODES INC.

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    :300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:150Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:190Mhz; Marcatura Dispositivo:Mt720; Marcatura Smd:720; No.5A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:475Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No. FMMT720. Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tempo Di Accensione:40Ns; Tempo Di Spegnimento:435Ns; Tensione Vcbo:40V |DIODES INC.

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