reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Stmicroelectronics

Stmicroelectronics Stf3Nk80Z

About The .

Mosfet, N, To-220Fp; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.5A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):4.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: ,STMICROELECTRONICS STF3NK80Z

Semiconduttori - Discreti

Stmicroelectronics Stf3Nk80Z

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Stmicroelectronics Stf3Nk80Z

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Stmicroelectronics Stf3Nk80Z
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 9.84 /10
Votes :- 52
Di Supervisori/Controllori:1Monitor; Tensione Di Alimentazione Min:1V; Tensione Di Alimentazione Max:5.5V; Tipo Di Reset:Attivo-Basso; Case Ci Digitale:Sot-23; No.

Di Supervisori/Controllori:1Monitor; Tensione Di Alimentazione Min:1V; Tensione Di Alimentazione Max:5.5V; Tipo Di Reset:Attivo-Basso; Case Ci Digitale:Sot-23; No.

625V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |MICROCHIP MCP120T-270I/TT Supervisor, Open Drain, Sot-23-3; Tensione Di Soglia:2.7V; No.625V; Tensione Di Soglia Disattivazione:2.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Circuiti integrati
  • Microchip
    • Mosfet, N, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.4A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:70W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Mosfet, N, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.4A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:70W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    75V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Max:4.Stmicroelectronics Std5Nk50Zt4 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015); Corrente Id Max:4.5Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds:500V; Tensione Vds Tipica:500V; Tensione Vgs Max:3.5V; Tensione Vgs Th Min:3V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |STMICROELECTRONICS STD5NK50ZT4.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, N, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:400V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.47Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:45W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Mosfet, N, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:400V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.47Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:45W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    8Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds:400V; Tensione Vds Tipica:400V; Tensione Vgs Max:3.Stmicroelectronics Std5Nk40Zt4 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015); Corrente Id Max:3A; Corrente Di Impulso Idm:12A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Stato On @ Vgs = 10V:1.5V; Tensione Vgs Th Min:3V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |STMICROELECTRONICS STD5NK40ZT4.75V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Max:4.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, N, To-220Fp; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.75 |STMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:55V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.008Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |STMICROELECTRONICS STP140NF55
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.35Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V |STMICROELECTRONICS STP12NM50
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, N, To-220Fp; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.5A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):4.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |STMICROELECTRONICS STF3NK80Z
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, N, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.4A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.7 |STMICROELECTRONICS STD5NK50ZT4
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, N, To-220Fp; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.5A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):4.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |STMICROELECTRONICS STF3NK80Z
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, N, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.4A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.7 |STMICROELECTRONICS STD5NK50ZT4
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics