Infineon Ipd600N25N3Gatma1
About The 051Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPD600N25N3GATMA1.Mosfet, Canale N, 250V, 25A, To252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0
Mosfet, Canale N, 250V, 25A, To252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.051Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi ,INFINEON IPD600N25N3GATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ipd600N25N3Gatma1
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Specifications of Infineon Ipd600N25N3Gatma1 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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