Mosfet, Canale N, 60V, 20A, 8Tsdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.008Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSZ100N06LS3GATMA1

Mosfet, Canale N, 100V, 180A, To263-7; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:180A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.002Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPB025N10N3GATMA1

Infineon Ipb025N10N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 150V, 21A, 8Tdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.042Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON BSZ520N15NS3GATMA1

Infineon Bsz520N15Ns3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 200V, 34A, To252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:34A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPD320N20N3GATMA1

Infineon Ipd320N20N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 120V, 120A, To263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:120V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPB038N12N3GATMA1

Infineon Ipb038N12N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 30V, 100A, 8Tdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON BSC025N03LSGATMA1

Infineon Bsc025N03Lsgatma1.

Mosfet, Canale N, 30V, 100A, 8Tdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON BSC0902NSATMA1

Infineon Bsc0902Nsatma1.

Mosfet, Canale N, 250V, 25A, To252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.051Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPD600N25N3GATMA1

Infineon Ipd600N25N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 60V, 20A, 8Tsdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.005Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSZ067N06LS3GATMA1

Infineon Bsz067N06Ls3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 60V, 50A, 8Tdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0054Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSC067N06LS3GATMA1

Infineon Bsc067N06Ls3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 250V, 64A, To220-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:64A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0175Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPP200N25N3GXKSA1

Infineon Ipp200N25N3Gxksa1.

Mosfet, Canale N, 120V, 75A, To252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:75A; Tensione Drain Source Vds:120V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0092Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPD110N12N3GATMA1

Infineon Ipd110N12N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 200V, 88A, To220-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:88A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0099Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPP110N20N3GXKSA1

Infineon Ipp110N20N3Gxksa1.

Mosfet, Canale N, 60V, 20A, 8Tsdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.008Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSZ100N06LS3GATMA1

Infineon Bsz100N06Ls3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 100V, 160A, To263-7; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:160A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPB039N10N3GATMA1

Infineon Ipb039N10N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 600V, 37.9A, To220; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:37.9A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPP60R099C6XKSA1

Infineon Ipp60R099C6Xksa1.

Mosfet, Canale N, 100V, 18A, 8Tsdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.038Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON BSZ440N10NS3GATMA1

Infineon Bsz440N10Ns3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 60V, 50A, 8Tdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.009Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |INFINEON BSC110N06NS3GATMA1

Infineon Bsc110N06Ns3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 60V, 20A, 8Tsdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.009Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSZ110N06NS3GATMA1

Infineon Bsz110N06Ns3Gatma1.

Mcu, 32Bit, Cortex-M0+, 48Mhz, Lqfp-80; Gamma Prodotti:KinetisÂ L Family Kl2X Series Microcontrollers; Architettura:Arm Cortex-M0+; Dimensione Core:32Bit; Dimensioni Memoria Di Programma:128Kb; Dimensione Memoria Ram:16Kb |NXP MKL25Z128VLK4

Nxp Mkl25Z128Vlk4.

Semiconduttori - Circuiti integrati

Microcontroller

Nxp

Diodo, 1200V, 50A, To263-3; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):50A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:2.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:243Ns; Corrente Di Picco |INFINEON IDB30E120ATMA1

Infineon Idb30E120Atma1.

Diodi

Diodo, 600V, 150A, To247-3; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):150A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:2V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente Di Picco Dirett |INFINEON IDW100E60FKSA1

Infineon Idw100E60Fksa1.

Diodi

Mosfet, Canale N, 60V, 50A, 8Tdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0078Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSC100N06LS3GATMA1

Infineon Bsc100N06Ls3Gatma1.

Mosfet, Canale P, 100V, 15A, To252-3; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-15A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.14Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Ten |INFINEON SPD15P10PLGBTMA1

Infineon Spd15P10Plgbtma1.

Mosfet, Canale P, 100V, 15A, To252-3; Tensione Drain Source Vds:-100V; Corrente Continua Di Drain Id:-15A; Dissipazione Di Potenza Pd:128W; Frequenza Operativa Min:-; Frequenza Operativa Max:-; Case Transistor Rf:To-252; |INFINEON SPD15P10PGBTMA1

Infineon Spd15P10Pgbtma1.

Mosfet, Canale N, 120V, 120A, To220-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:120V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPP041N12N3GXKSA1

Infineon Ipp041N12N3Gxksa1.

Mosfet, Canale P, 60V, 80A, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-80A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensi |INFINEON SPB80P06PGATMA1

Infineon Spb80P06Pgatma1.

Mosfet, Canale N, 75V, 120A, To220; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON IPP023NE7N3GXKSA1

Infineon Ipp023Ne7N3Gxksa1.

Mosfet, Canale N, 80V, 23A, 8Tsdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSZ340N08NS3GATMA1

Infineon Bsz340N08Ns3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 80V, 23A, 8Tdson; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0275Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSC340N08NS3GATMA1

Infineon Bsc340N08Ns3Gatma1.