Infineon Ipp200N25N3Gxksa1
About The 0175Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPP200N25N3GXKSA1.Mosfet, Canale N, 250V, 64A, To220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:64A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0
Mosfet, Canale N, 250V, 64A, To220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:64A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0175Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens ,INFINEON IPP200N25N3GXKSA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ipp200N25N3Gxksa1
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Specifications of Infineon Ipp200N25N3Gxksa1 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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