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Infineon Ipd110N12N3Gatma1

About The Mosfet, Canale N, 120V, 75A, To252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:75A; Tensione Drain Source Vds:120V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0092Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPD110N12N3GATMA1

Mosfet, Canale N, 120V, 75A, To252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:75A; Tensione Drain Source Vds:120V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0092Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens ,INFINEON IPD110N12N3GATMA1

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CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Canale N, 60V, 50A, 8Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.009Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |INFINEON BSC110N06NS3GATMA1
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