Mosfet, Canale N, 60V, 20A, 8Tsdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.008Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension ,INFINEON BSZ100N06LS3GATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Bsz100N06Ls3Gatma1
Specifications of Infineon Bsz100N06Ls3Gatma1 | |
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