Infineon Ipb039N10N3Gatma1
About The 0033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPB039N10N3GATMA1.Mosfet, Canale N, 100V, 160A, To263-7; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:160A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0
Mosfet, Canale N, 100V, 160A, To263-7; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:160A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te ,INFINEON IPB039N10N3GATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ipb039N10N3Gatma1
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Specifications of Infineon Ipb039N10N3Gatma1 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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