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Infineon Ipp60R099C6Xksa1

About The Mosfet, Canale N, 600V, 37.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPP60R099C6XKSA1

Mosfet, Canale N, 600V, 37.9A, To220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:37.9A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens ,INFINEON IPP60R099C6XKSA1

Semiconduttori - Discreti

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Specifications of Infineon Ipp60R099C6Xksa1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Ipp60R099C6Xksa1
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Diodo, 1200V, 50A, To263-3; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):50A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:2.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:243Ns; Corrente Di Picco |INFINEON IDB30E120ATMA1
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    • Mcu, 32Bit, Cortex-M0+, 48Mhz, Lqfp-80; Gamma Prodotti:Kinetis L Family Kl2X Series Microcontrollers; Architettura:Arm Cortex-M0+; Dimensione Core:32Bit; Dimensioni Memoria Di Programma:128Kb; Dimensione Memoria Ram:16Kb |NXP MKL25Z128VLK4
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