reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Diodi
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Idb30E120Atma1

About The .Diodo, 1200V, 50A, To263-3; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1

Diodo, 1200V, 50A, To263-3; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):50A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:2.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:243Ns; Corrente Di Picco ,INFINEON IDB30E120ATMA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Idb30E120Atma1

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Idb30E120Atma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
Instockinstock

Last Updated

Infineon Idb30E120Atma1
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.17 /10
Votes :- 54
Mosfet, Canale N, 75V, 120A, To220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON IPP023NE7N3GXKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale P, 60V, 80A, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-80A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensi |INFINEON SPB80P06PGATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 120V, 120A, To220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:120V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPP041N12N3GXKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale P, 100V, 15A, To252-3; Tensione Drain Source Vds:-100V; Corrente Continua Di Drain Id:-15A; Dissipazione Di Potenza Pd:128W; Frequenza Operativa Min:-; Frequenza Operativa Max:-; Case Transistor Rf:To-252; |INFINEON SPD15P10PGBTMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale P, 100V, 15A, To252-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-15A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.14Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Ten |INFINEON SPD15P10PLGBTMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 60V, 50A, 8Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0078Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSC100N06LS3GATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Diodo, 600V, 150A, To247-3; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):150A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:2V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente Di Picco Dirett |INFINEON IDW100E60FKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Diodo, 1200V, 50A, To263-3; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):50A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:2.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:243Ns; Corrente Di Picco |INFINEON IDB30E120ATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Diodo, 600V, 150A, To247-3; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):150A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:2V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente Di Picco Dirett |INFINEON IDW100E60FKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Diodo, 1200V, 50A, To263-3; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):50A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:2.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:243Ns; Corrente Di Picco |INFINEON IDB30E120ATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon