Mosfet, Canale N, 60V, 50A, 8Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0078Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension ,INFINEON BSC100N06LS3GATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Bsc100N06Ls3Gatma1
Specifications of Infineon Bsc100N06Ls3Gatma1 | |
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