reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Ipp041N12N3Gxksa1

About The 0035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPP041N12N3GXKSA1.Mosfet, Canale N, 120V, 120A, To220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:120V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Canale N, 120V, 120A, To220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:120V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te ,INFINEON IPP041N12N3GXKSA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipp041N12N3Gxksa1

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Ipp041N12N3Gxksa1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Infineon Ipp041N12N3Gxksa1
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.13 /10
Votes :- 55
Mosfet, Canale N, 100V, 35A, To252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:35A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPD25CN10NGATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 650V, 4.5A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.5A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.85Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON SPD04N60C3ATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 200V, 34A, To263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:34A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.028Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPB320N20N3GATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 80V, 23A, 8Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0275Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSC340N08NS3GATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 80V, 23A, 8Tsdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON BSZ340N08NS3GATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 75V, 120A, To220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON IPP023NE7N3GXKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale P, 60V, 80A, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-80A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensi |INFINEON SPB80P06PGATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 120V, 120A, To220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:120V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPP041N12N3GXKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale P, 60V, 80A, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-80A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensi |INFINEON SPB80P06PGATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 120V, 120A, To220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:120V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPP041N12N3GXKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon