Infineon Spb80P06Pgatma1
About The 021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensi |INFINEON SPB80P06PGATMA1.Mosfet, Canale P, 60V, 80A, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-80A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0
Mosfet, Canale P, 60V, 80A, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-80A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensi ,INFINEON SPB80P06PGATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Spb80P06Pgatma1
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Specifications of Infineon Spb80P06Pgatma1 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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