Infineon Spd04N60C3Atma1
About The 5A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.5A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4
Mosfet, Canale N, 650V, 4.5A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.5A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.85Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension ,INFINEON SPD04N60C3ATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Spd04N60C3Atma1
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Infineon Spd04N60C3Atma1 | |
|---|---|
| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
| Instock | instock |
Last Updated
Rating :- 8.15 /10
Votes :- 53
