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Infineon Ipw60R125Cpfksa1

About The Mosfet, Canale N, 650V, 25A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON IPW60R125CPFKSA1

Mosfet, Canale N, 650V, 25A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension ,INFINEON IPW60R125CPFKSA1

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Infineon Ipw60R125Cpfksa1

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Specifications of Infineon Ipw60R125Cpfksa1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Canale P, 60V, 80A, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-80A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:340W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Mosfet, Canale P, 60V, 80A, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-80A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:340W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Spb80P06Pgatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |INFINEON SPB80P06PGATMA1.

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