reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Spd04P10Plgbtma1

About The Mosfet, Canale P, 100V, 4.

Mosfet, Canale P, 100V, 4.2A, To252-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.2A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.55Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T ,INFINEON SPD04P10PLGBTMA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Spd04P10Plgbtma1

More from Circuiti Stampati E Componenti: Mosfet, Canale P, 100V, 4.2A, To252-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.2A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.55Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T |INFINEON SPD04P10PLGBTMA1
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Spd04P10Plgbtma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Infineon Spd04P10Plgbtma1
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.12 /10
Votes :- 52
Mosfet, Canale N, 20V, 3.8A, Sc-59; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.017Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensio |INFINEON BSR202NL6327HTSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 600V, 21Ma, Sot23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):280Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale N, 600V, 21Ma, Sot23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):280Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Infineon Bss126H6327Xtsa2 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |INFINEON BSS126H6327XTSA2.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale P, 60V, 80A, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-80A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:340W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, Canale P, 60V, 80A, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-80A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:340W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Spb80P06Pgatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |INFINEON SPB80P06PGATMA1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale P, 60V, 18.7A, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-18.7A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.101Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T |INFINEON SPB18P06PGATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 20V, 3.7A, Sc-59; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.7A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.017Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):2.5V; Tensio |INFINEON BSR802NL6327HTSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 250V, 25A, To220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.051Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPP600N25N3GXKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 650V, 10.6A, To220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10.6A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.34Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPA65R380E6XKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale P, 100V, 4.2A, To252-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.2A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.55Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T |INFINEON SPD04P10PLGBTMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 650V, 10.6A, To220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10.6A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.34Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPA65R380E6XKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale P, 100V, 4.2A, To252-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.2A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.55Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T |INFINEON SPD04P10PLGBTMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon