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Mosfet, Canale N, 30V, 10.9A, So8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10.9A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.02Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SI4128DY-T1-GE3
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    Mosfet, Canale N, 100V, 6.8A, So8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6.8A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.051Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:6W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Vishay Si4100Dy-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:6.

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    Mosfet, Canale P, 8V, 5.8A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-5.8A; Tensione Drain Source Vds:-8V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.028Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.7W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    8A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:8V |VISHAY SI2305CDS-T1-GE3.Vishay Si2305Cds-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Corrente Id Max:-5.

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    Mosfet, Canale P, 20V, 3.1A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.1A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-400Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:1.6W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    1A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:8V |VISHAY SI2301CDS-T1-GE3.Vishay Si2301Cds-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-3.

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    • Mosfet, Canale P, 30V, 3.5A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.5A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.073Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.1W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale P, 30V, 3.5A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.5A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.073Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.1W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    5A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI2307CDS-T1-GE3.Vishay Si2307Cds-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-3.

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    Mosfet, Canale P, -60V, -1.6A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.6A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.285Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.7W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    6A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI2309CDS-T1-GE3.Vishay Si2309Cds-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Corrente Id Max:-1.

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    Mosfet, Np-Ch, 30V, So8; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.038Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.78W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Vishay Si4532Cdy-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:6A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI4532CDY-T1-GE3.

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    Mosfet, Np-Ch, 40V, So8; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:6.8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0295Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:3W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Vishay Si4599Dy-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:6.8A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI4599DY-T1-GE3.

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