reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Componenti passivi circuiti
Induttori
Nexperia

Mosfet,canale N,60V,44A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:44A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0123Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |NEXPERIA PSMN017-60YS,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,100V,51A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:51A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0127Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |NEXPERIA PSMN016-100YS,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,100V,42A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:42A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0214Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |NEXPERIA PSMN028-100YS,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,100V,28.1A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:28.1A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0308Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |NEXPERIA PSMN039-100YS,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,30V,100A,to-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0017Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):20V; Tension |NEXPERIA PSMN2R0-30PL,127
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,60V,50A,to-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0126Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN015-60PS,127
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,100V,51A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:51A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0127Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:117W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Mosfet,canale N,100V,51A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:51A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0127Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:117W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn016-100Ys,115 Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:51A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |NEXPERIA PSMN016-100YS,115.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,100V,89A,to-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:89A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00816Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |NEXPERIA PSMN9R5-100PS,127
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,100V,37A,to-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:37A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN027-100PS,127
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,40V,100A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |NEXPERIA PSMN3R3-40YS,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,40V,90A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0044Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |NEXPERIA PSMN5R8-40YS,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,40V,46A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:46A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.011Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |NEXPERIA PSMN014-40YS,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,60V,29A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:29A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0191Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |NEXPERIA PSMN030-60YS,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,n Ch,80V,67A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:67A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.008Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Sogli |NEXPERIA PSMN011-80YS,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Inductor, 6.8Uh, 18.5A, 20%; Induttanza:6.8Μh; Corrente Rms (Irms):22.5A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):18.5A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-6767Gz-11; Involucro Induttore Di Potenza:17,15Mm X 17,15Mm X 7Mm; Resistenza Cc Max:0.00615Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Vishay
    • Inductor, 8.2Uh, 18A, 20%; Induttanza:8.2Μh; Corrente Rms (Irms):21A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):18A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-6767Gz-11; Involucro Induttore Di Potenza:17,15Mm X 17,15 |VISHAY IHLP6767GZER8R2M11
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Vishay
    • Inductor, 10Uh, 17A, 20%; Induttanza:10Μh; Corrente Rms (Irms):19A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):17A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-6767Gz-11; Involucro Induttore Di Potenza:17,15Mm X 17,15Mm X 7Mm; Resistenza Cc Max:0.00933Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Vishay
    • Inductor, 15Uh, 14A, 20%, Smd; Induttanza:15Μh; Corrente Rms (Irms):14A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):12A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-6767Gz-11; Involucro Induttore Di Potenza:17,15Mm X 17,15Mm X 7Mm; Resistenza Cc Max:0.0144Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Vishay
    • Mosfet,canale N,40V,100A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:117W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Mosfet,canale N,40V,100A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:117W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn3R3-40Ys,115 Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:100A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |NEXPERIA PSMN3R3-40YS,115.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,40V,90A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0044Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:89W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Mosfet,canale N,40V,90A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0044Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:89W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn5R8-40Ys,115 Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:90A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |NEXPERIA PSMN5R8-40YS,115.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,40V,46A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:46A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.011Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:56W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Mosfet,canale N,40V,46A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:46A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.011Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:56W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn014-40Ys,115 Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:46A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |NEXPERIA PSMN014-40YS,115.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,60V,29A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:29A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0191Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:56W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Mosfet,canale N,60V,29A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:29A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0191Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:56W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn030-60Ys,115 Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:29A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |NEXPERIA PSMN030-60YS,115.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Inductor, 22Uh, 9.5A, 20%; Induttanza:22Μh; Corrente Rms (Irms):12A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):9.5A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-6767Gz-11; Involucro Induttore Di Potenza:17,15Mm X 17,15Mm X 7Mm; Resistenza Cc Max:0.021Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Vishay
    • Inductor, 33Uh, 10.7A, 20%, Smd; Induttanza:33Μh; Corrente Rms (Irms):10.7A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):9A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-6767Gz-11; Involucro Induttore Di Potenza:17,15Mm X 17,15Mm X 7Mm; Resistenza Cc Max:0.037Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Vishay
    • Inductor, 47Uh, 8.6A, 20%; Induttanza:47Μh; Corrente Rms (Irms):8.7A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):8.6A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-6767Gz-11; Involucro Induttore Di Potenza:17,15Mm X 17,15Mm X 7Mm; Resistenza Cc Max:0.0427Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Vishay
    • Inductor, 56Uh, 4.2A, 20%; Induttanza:56Μh; Corrente Rms (Irms):7.2A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):4.2A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-6767Gz-11; Involucro Induttore Di Potenza:17,15Mm X 17,15Mm X 7Mm; Resistenza Cc Max:0.0578Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Vishay
    • Inductor, 68Uh, 6.1A, 20%, Smd; Induttanza:68Μh; Corrente Rms (Irms):6.1A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):4.5A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-6767Gz-11; Involucro Induttore Di Potenza:17,15Mm X 17,15Mm X 7Mm; Resistenza Cc Max:0.0757Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Vishay
    • Inductor, 82Uh, 4.5A, 20%; Induttanza:82Μh; Corrente Rms (Irms):5.5A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):4.5A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-6767Gz-11; Involucro Induttore Di Potenza:17,15Mm X 17,15Mm X 7Mm; Resistenza Cc Max:0.0917Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Vishay
    • Mosfet,canale N,80V,24A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:24A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:56W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Mosfet,canale N,80V,24A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:24A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:56W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn045-80Ys,115 Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:24A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |NEXPERIA PSMN045-80YS,115.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet,canale N,100V,17A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0566Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:56W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Mosfet,canale N,100V,17A,lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0566Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:56W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn069-100Ys,115 Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:17A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |NEXPERIA PSMN069-100YS,115.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • PREVIOUS 278678 278679 278680 278681 278682 278683 278684 278685 278686 278687 278688 278689 278690 278691 278692 278693 278694 NEXT