Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:1.2A; Corrente Ic Continua A Max:1.2A; Corrente Ic Hfe:100Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:350Mw; Hfe Min.:20000; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:220Mhz; Marcatura Dispositivo:Bcv27; Marcatura Smd:Ff; No.

Mosfet, P, -30V, -2A, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.08Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Onsemi Fdn360P Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:PowertrenchÂ® Mosfet; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:2A; Corrente Di Impulso Idm:20A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Larghezza Esterna:3.5Mm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds:30V; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:20V |ONSEMI FDN360P.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:900Ma; Corrente Di Impulso Idm:10A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Larghezza Esterna:3.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25Â°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.12Mm; Marcatura Smd:Nds352P; No.

25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.

Mosfet, P, Supersot-6; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:5.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Sogli |ONSEMI FDC604P

Onsemi Fdc604P.

Mosfet, P, Supersot-6; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:4.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.039Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):12V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDC638P

Onsemi Fdc638P.

Mosfet, P, Supersot-6; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.041Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDC658P

Onsemi Fdc658P.

Mosfet, P, To-220; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.12Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:- |ONSEMI FQP17P06

Onsemi Fqp17P06.

Mosfet, P, -60V, -27A, To-220; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-27A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.07Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di |ONSEMI FQP27P06

Onsemi Fqp27P06.

Transistor, Npn, Sot-223; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:1.5W; Corrente Di Collettore Cc:1.5A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe: |ONSEMI BCP55

Onsemi Bcp55.

Mosfet, P, Supersot-6; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.041Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.6W; Modello Case Transistor:Supersot; No.

Onsemi Fdc658P Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-4A; Corrente Di Impulso Idm:20A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Livello Temperatura A Piena Potenza:25Â°C; Marcatura Smd:Fdc658P; PolaritÃ Uni/Bi Direzionale:P; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds:30V; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:-1.7V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tensione Vgs Th Max:-3V |ONSEMI FDC658P.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Codice Applicazione:Gp; Corrente Continua Di Collettore Ic Max:1.5A; Corrente Ic Continua A Max:1.5A; Corrente Ic Hfe:150Ma; Corrente Media Ic:1A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1W; Hfe Min.:40; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Marcatura Smd:Bcp55; No.

Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):500Mv; Tensione Vcbo:60V |ONSEMI BCP55 Transistor, Npn, Sot-223; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:1. Onsemi Bcp55.

Transistor, Npn, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:30V; Frequenza Di Transizione Ft:220Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:350Mw; Corrente Di Collettore Cc:1.2A; Guadagno Di Corrente Cc |ONSEMI BCV27

Onsemi Bcv27.

Transistor, Npn, 40V, 200Ma, To-92; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corr |ONSEMI 2N3904TA

Onsemi 2N3904Ta.