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Induttore, 3.3Uh 20%, Ihlp-3232Dz-11; Induttanza:3.3Μh; Corrente Rms (Irms):10.5A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):9.7A; Gamma Prodotti:Serie Ihlp-3232Dz-11; Involucro Induttore Di Potenza:8,64Mm X 8,18Mm X 4Mm; Resistenza Cc Max:0.0149Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
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    • Mosfet, Canale N, D, 20V, 0.5A, Sc75A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:630Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.33Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Ten |VISHAY SI1012CR-T1-GE3
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    • Mosfet, Canale P, Esd, 20V, 2A, Sot363; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-2A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.05Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Te |VISHAY SI1427EDH-T1-GE3
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    • Mosfet, Canale N, D, 30V, 5.8A, Sot23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5.8A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |VISHAY SI2366DS-T1-GE3
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    • Mosfet, Canale P, Diodo, 20V, 6A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-6A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.028Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T |VISHAY SI2399DS-T1-GE3
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    • Mosfet, Canale P, Diodo, 20V, 13.4A, So8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-13.4A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4 |VISHAY SI4403CDY-T1-GE3
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    • Mosfet, Canale P, Diodo, 20V, 18.6A, So8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-18.6A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.006Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10 |VISHAY SI4463CDY-T1-GE3
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    • Mosfet, Can P, Diodo, 20V, 1.4A, Sot323; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.4A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:450Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-323; No.

    Mosfet, Can P, Diodo, 20V, 1.4A, Sot323; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.4A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:450Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-323; No.

    Vishay Si1317Dl-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -50°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-50°C |VISHAY SI1317DL-T1-GE3.

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    • Mosfet, Canale N, D, 20V, 4A, Sot363; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:400Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:2.8W; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Mosfet, Canale N, D, 20V, 4A, Sot363; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:400Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:2.8W; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Vishay Si1424Edh-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SI1424EDH-T1-GE3.

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    • Mosfet, Canale P, Esd, 20V, 2A, Sot363; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-2A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.05Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-400Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:2.8W; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Mosfet, Canale P, Esd, 20V, 2A, Sot363; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-2A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.05Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-400Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:2.8W; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Vishay Si1427Edh-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SI1427EDH-T1-GE3.

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    Mosfet, Canale N, D, 30V, 5.8A, Sot23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5.8A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.1W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Si2366Ds-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SI2366DS-T1-GE3.

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    Mosfet, Canale P, Diodo, 20V, 6A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-6A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.028Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-600Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:To-236; No.

    Vishay Si2399Ds-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SI2399DS-T1-GE3.

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