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Mosfet, N Ch, 30V, 16A, Mlp 3.3X3.3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0072Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |ONSEMI FDMC7692
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    Mosfet, Canale N, 30V, 20A, Mlp 3.3X3.3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:25W; Modello Case Transistor:Mlp; No.

    Onsemi Fdmc7696 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI FDMC7696.

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    Mosfet, Canale N, 100V, 49A, Power56; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:49A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0064Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:104W; Modello Case Transistor:Power 56; No.

    Onsemi Fdms86103L Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI FDMS86103L.

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    Mosfet, Canale N, 100V, 16A, Power56; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.02Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:73W; Modello Case Transistor:Power 56; No.

    Onsemi Fdms86104 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI FDMS86104.

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    Mosfet, Canale N, 60V, 80A, Power56; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:104W; Modello Case Transistor:Power 56; No.

    Onsemi Fdms86500L Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI FDMS86500L.

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    Mosfet, Canale N, 100V, 2.7A, Ssot-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.7A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0854Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.5W; Modello Case Transistor:Supersot; No.

    Onsemi Fdn8601 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI FDN8601.

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    Mosfet, Canale N, 100V, 11.2A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11.2A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0081Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Onsemi Fds86140 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Di Impulso Idm:50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI FDS86140.

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    Mosfet, Canale N, 100V, 7A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Onsemi Fds86141 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Di Impulso Idm:30A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI FDS86141.

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    Mosfet, Canale N, 100V, 3.3A, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.3A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

    Onsemi Fdt86113Lz Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Di Impulso Idm:12A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Th Max:2.

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