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Transistor, Pnp, -60V, -600Ma, Sot-323-3; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-60V; Frequenza Di Transizione Ft:200Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:-600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:50Hfe; Modello Case Transistor:Sot-323; No.

Transistor, Pnp, -60V, -600Ma, Sot-323-3; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-60V; Frequenza Di Transizione Ft:200Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:-600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:50Hfe; Modello Case Transistor:Sot-323; No.

Onsemi mmbt2907Awt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Mmbtxxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI MMBT2907AWT1G.

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    • Transistor, Pnp, -45V, -500Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:-500Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Transistor, Pnp, -45V, -500Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:-500Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Onsemi Bc807-16Lt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI BC807-16LT1G.

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    • Transistor, Npn, 40V, 600Ma, Sot-323-3; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Frequenza Di Transizione Ft:300Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:35Hfe; Modello Case Transistor:Sot-323; No.

    Transistor, Npn, 40V, 600Ma, Sot-323-3; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Frequenza Di Transizione Ft:300Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:35Hfe; Modello Case Transistor:Sot-323; No.

    Onsemi mmbt2222Awt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Mmbtxxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI MMBT2222AWT1G.

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    • Transistor, Pnp, -100V, -100Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-100V; Frequenza Di Transizione Ft:95Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:-100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:30Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Transistor, Pnp, -100V, -100Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-100V; Frequenza Di Transizione Ft:95Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:-100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:30Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Onsemi Bss63Lt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI BSS63LT1G.

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    • Transistor, Npn, 30V, 300Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:30V; Frequenza Di Transizione Ft:125Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:300Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:10000Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Transistor, Npn, 30V, 300Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:30V; Frequenza Di Transizione Ft:125Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:225Mw; Corrente Di Collettore Cc:300Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:10000Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Onsemi mmbta14Lt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI MMBTA14LT1G.

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    • Transistor, Pnp, -60V, -6A, Sot-223-4; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-60V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Corrente Di Collettore Cc:-6A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:70Hfe; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

    Transistor, Pnp, -60V, -6A, Sot-223-4; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-60V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Corrente Di Collettore Cc:-6A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:70Hfe; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

    Onsemi Nss60600Mz4T1G Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI NSS60600MZ4T1G.

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    • Diodo, Schottky, 500Ma, 30V, 0402; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:30V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Tensione Diretta Vf Max:430Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:10A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:0402; No.
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    • Mosfet, Canale N, 60V, 380Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:380Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.19Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |ONSEMI 2N7002KT1G
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    • Mosfet, Canale N, 20V, 915Ma, Sc-75-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:915Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.127Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Te |ONSEMI NTA4153NT1G
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    • Mosfet, Canale P, -20V, 760Ma, Sc-75-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:760Ma; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.26Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; |ONSEMI NTA4151PT1G
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    • Mosfet, Canale N, 30V, 20A, To-252-4; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tension |ONSEMI NTD20N03L27T4G
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    • Mosfet, Ch N, 30V, 0R0215, 7A, Tsop-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0215Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |ONSEMI NTGS4141NT1G
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    • Transist, Npn, 30V, 0.1A, 150°C, 0.15W; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:30V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagn |ONSEMI BC848BWT1G
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    • Transist, Pnp, -45V, -0.5A, 150°C, 0.3W; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-500Ma; Guad |ONSEMI BC807-40LT1G
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    • Mosfet, Canale P, -20V, 1A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:1A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.148Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:400Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale P, -20V, 1A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:1A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.148Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:400Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Onsemi Ntr1P02T1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI NTR1P02T1G.

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    • Mosfet, Canale N, 60V, 310Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:310Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.86Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:420Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale N, 60V, 310Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:310Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.86Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:420Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Onsemi 2N7002Et1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI 2N7002ET1G.

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    • Transistor, Rf, Pnp, -50V, Sot-23-3; Polarità Transistor Digitale:Pnp Singolo; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:-100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:4.7Kohm; Resistore R2 |ONSEMI MMUN2133LT1G
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    • Transistor, Rf, Npn, 50V, Sc-59-3; Polarità Transistor Digitale:Npn Singolo; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Resistore R2 Base- |ONSEMI MUN2214T1G
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    • Transistor, Rf, Pnp, -50V, Sot-23-3; Polarità Transistor Digitale:Pnp Singolo; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:-100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Resistore R2 B |ONSEMI MMUN2114LT1G
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    • Transistor, Rf, Npn, 50V, Sot-363-6; Polarità Transistor Digitale:Doppio Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Resistore R2 Base |ONSEMI MUN5211DW1T1G
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    • Transistor, Rf, Npn/Pnp, 50V, Sot-563-6; Polarità Transistor Digitale:Complemento Npn E Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Re |ONSEMI NSBC114YPDXV6T1G
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    • Mosfet, Canale N, 60V, 380Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:380Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.19Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.3V; Dissipazione Di Potenza Pd:420Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale N, 60V, 380Ma, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:380Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.19Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.3V; Dissipazione Di Potenza Pd:420Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Onsemi 2N7002Kt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI 2N7002KT1G.

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    • Transist, Pnp, -45V, -0.5A, 150°C, 0.3W; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-500Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:250Hfe; Case Transistor Rf:Sot-23; No.

    Transist, Pnp, -45V, -0.5A, 150°C, 0.3W; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:-500Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:250Hfe; Case Transistor Rf:Sot-23; No.

    Onsemi Bc807-40Lt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Bcxxx Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Modello Case Transistor:Sot-23; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI BC807-40LT1G.

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    • Transistor, Rf, Pnp, -50V, Sot-23-3; Polarità Transistor Digitale:Pnp Singolo; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:-100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:4.7Kohm; Resistore R2 Base-Emettitore:47Kohm; Rapporto Resistenze R1/R2:10Rapporto; Case Transistor Rf:Sot-23; Numero Di Pin:3 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
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    • Transistor, Rf, Npn, 50V, Sc-59-3; Polarità Transistor Digitale:Npn Singolo; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Resistore R2 Base-Emettitore:47Kohm; Rapporto Resistenze R1/R2:4.7Rapporto; Case Transistor Rf:Sc-59; Numero Di Pin:3 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
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  • Onsemi
    • Transistor, Rf, Pnp, -50V, Sot-23-3; Polarità Transistor Digitale:Pnp Singolo; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:-100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Resistore R2 Base-Emettitore:47Kohm; Rapporto Resistenze R1/R2:4.7Rapporto; Case Transistor Rf:Sot-23; Numero Di Pin:3 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
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    • Transistor, Rf, Npn, 50V, Sot-363-6; Polarità Transistor Digitale:Doppio Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Resistore R2 Base-Emettitore:10Kohm; Rapporto Resistenze R1/R2:1Rapporto; Case Transistor Rf:Sot-363; Numero Di Pin:6 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
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    • Transist, Npn, 30V, 0.1A, 150°C, 0.15W; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:30V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:200Hfe; Case Transistor Rf:Sc-70; No.

    Transist, Npn, 30V, 0.1A, 150°C, 0.15W; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:30V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:200Hfe; Case Transistor Rf:Sc-70; No.

    Onsemi Bc848Bwt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Modello Case Transistor:Sot-323; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |ONSEMI BC848BWT1G.

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    • Transistor, Npn, 40V, 200Ma, Sot-963-6; Polarità Transistor:Npn Doppio; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Dissipazione Di Potenza Pd:350Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:30Hfe; M |ONSEMI NST3904DP6T5G
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    • Transistor, Npn, 65V, 100Ma, Sot-363-6; Polarità Transistor:Npn Doppio; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:65V; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:200Hfe; |ONSEMI BC846BDW1T1G
  • Dispositivi elettronici
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