reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Stmicroelectronics

Diodo, Ultraveloce, 5A, 1200V, Dpak; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):5A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:48Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:55A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:To-252; Numero Di Pin:3 Pin; Gamma Prodotti:Stth5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Diodo, Ultraveloce, 5A, 600V, Dpak; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):5A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.85V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:55A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:To-252; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Stth5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Diodo, Ultraveloce, 8A, 200V, Dpak; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:950Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:50A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:To-252; Numero Di Pin:3 Pin; Gamma Prodotti:Stth8 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Diodo, Schottky, 8A, 100V, D2Pak; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):8A; Configurazione Diodo:-; Modello Involucro Diodo:To-263; No.

    Diodo, Schottky, 8A, 100V, D2Pak; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):8A; Configurazione Diodo:-; Modello Involucro Diodo:To-263; No.

    Stmicroelectronics Stps8H100G-Tr Di Pin:3Pin; Tensione Diretta Vf Max:710Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:250A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Stps8 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018); Tecnologia Semiconduttori:Si; Tipo Di Diodo:Schottky |STMICROELECTRONICS STPS8H100G-TR.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Diodo, Ultraveloce, 8A, 1200V, D2Pak; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):8A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:2V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:100Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:80A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:To-263; Numero Di Pin:3 Pin; Gamma Prodotti:Stth8 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Array Diodo, Tvs, Bidir, 300W, 8Soic; Gamma Prodotti:Serie Transil Ita; Polarità Tvs:Unidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:5V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:12V; Modello Involucro Diodo:Soic; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Protezione dei circuiti
  • Stmicroelectronics
    • Diodo, Esd, 150W, 30Kv, Sod882; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:17.5V; Modello Involucro Diodo:Sod-882T; No.

    Diodo, Esd, 150W, 30Kv, Sod882; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:17.5V; Modello Involucro Diodo:Sod-882T; No.

    Stmicroelectronics Esdalc5-1Bt2 Di Pin:2Pin; Tensione Di Funzionamento:-; Dissipazione Di Potenza Pd:150W; Gamma Prodotti:Esdal Series; Standard |STMICROELECTRONICS ESDALC5-1BT2.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Protezione dei circuiti
  • Stmicroelectronics
    • Tiristore, 200V, 25A, To-220Ab; Tensione Di Picco In Stato Off Ripetitiva Vdrm:200V; Corrente Di Trigger Su Gate Max, Igt:40Ma; Corrente It Media:16A; Corrente Rms Stato On It(Rms):25A; Modello Case Tiristore:To-220Ab; N |STMICROELECTRONICS TYN225RG
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Transistor, Npn, 100V, 1A, Sot-223; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:80V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:1.6W; Corrente Di Collettore Cc:1A; Guadagno Di Corrente |STMICROELECTRONICS BCP56-16
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Transistor, Pnp, 50V, 5A, Sot-89; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-50V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:1.4W; Corrente Di Collettore Cc:-5A; Guadagno Di Corrente |STMICROELECTRONICS 2STF2550
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Transistor, Npn, Darl, 100V, 12A, D2Pak; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:70W; Corrente Di Collettore Cc:12A; Guadagno Di Co |STMICROELECTRONICS 2STBN15D100
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Transistor, Npn, 700V, 12A, Isowatt218Fx; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:700V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:58W; Corrente Di Collettore Cc:12A; Guadagno Di C |STMICROELECTRONICS MD2001FX
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Igbt, 400V, 25A, Dpak; Corrente Di Collettore Cc:25A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.35V; Dissipazione Di Potenza Pd:125W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:390V; Modello Case Transistor:To-252; N |STMICROELECTRONICS STGD18N40LZT4
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Igbt, 400V, 30A, D2Pak; Corrente Di Collettore Cc:30A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.35V; Dissipazione Di Potenza Pd:150W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:390V; Modello Case Transistor:To-263; |STMICROELECTRONICS STGB18N40LZT4
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Transistor, Npn, Darl, 100V, 12A, D2Pak; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:70W; Corrente Di Collettore Cc:12A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:750Hfe; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Transistor, Npn, Darl, 100V, 12A, D2Pak; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:70W; Corrente Di Collettore Cc:12A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:750Hfe; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Stmicroelectronics 2Stbn15D100 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |STMICROELECTRONICS 2STBN15D100.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 650V, 8A, D2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.9Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:100W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, Canale N, 650V, 8A, D2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.9Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:100W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Stmicroelectronics Stb8Nm60T4 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |STMICROELECTRONICS STB8NM60T4.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 550V, 12A, D2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:160W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, Canale N, 550V, 12A, D2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:160W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Stmicroelectronics Stb12Nm50T4 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015); Temperatura Di Esercizio Min:-65°C |STMICROELECTRONICS STB12NM50T4.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 800V, 0.3A, To-92; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |STMICROELECTRONICS STQ1NK80ZR-AP
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 525V, 4.4A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.4A; Tensione Drain Source Vds:525V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.28Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |STMICROELECTRONICS STD5N52U
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 60V, 7.5A, 8-Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.017Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |STMICROELECTRONICS STS7NF60L
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 650V, 8A, D2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.9Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |STMICROELECTRONICS STB8NM60T4
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 550V, 12A, D2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |STMICROELECTRONICS STB12NM50T4
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 600V, 20A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.29Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):30V; Tension |STMICROELECTRONICS STP20NM60
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 650V, 35A, To220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:35A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.067Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |STMICROELECTRONICS STP45N65M5
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Rf, 150W, 125V, 20A, M174; Tensione Drain Source Vds:125V; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Dissipazione Di Potenza Pd:389W; Frequenza Operativa Min:-; Frequenza Operativa Max:230Mhz; Case Transistor Rf:M174; N |STMICROELECTRONICS SD2931-10W
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Ventola, 80Mm, 85-265Vac, 80M3/H, 48Dba; Tensione Di Alimentazione:230V; Tipo Di Corrente:Ac; Dimensione Telaio Ventola:80Mm; Profondità Esterna:32Mm; Indice Di Rumore:48Dba; Flusso Volumetrico - Imperiale:47.1Cu.ft/Min; |EBM-PAPST AC8300H
  • Dispositivi elettronici
  • Accessori dispositivi elettronici
  • Componenti per computer
  • Componenti di raffreddamento per PC
  • Gestione di calore e raffreddamento
  • Ebm-Papst
    • Ventola, 92Mm, 85-265Vac, 144M3/H, 55Dba; Tensione Di Alimentazione:230V; Tipo Di Corrente:Ac; Dimensione Telaio Ventola:92Mm; Profondità Esterna:38Mm; Indice Di Rumore:55Dba; Flusso Volumetrico - Imperiale:86Cu.ft/Min; |EBM-PAPST AC3200JH
  • Dispositivi elettronici
  • Accessori dispositivi elettronici
  • Componenti per computer
  • Componenti di raffreddamento per PC
  • Gestione di calore e raffreddamento
  • Ebm-Papst
    • Protezione Ventola, Uscita, Metallo 92Mm; Utilizzare Con:Ventilatori Serie Ac 3200 J; Dimensione Telaio Ventola:92Mm; Centri Di Fissaggio:82.5Mm; Materiale Proteggi Dita:Acciaio; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente P |EBM-PAPST LZ23-6
  • Dispositivi elettronici
  • Accessori dispositivi elettronici
  • Componenti per computer
  • Componenti di raffreddamento per PC
  • Gestione di calore e raffreddamento
  • Ebm-Papst
    • Connect Eve, Scheda Aggiuntiva; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Caratteristiche:(Not Applicable); Contenuto Kit:Connecteve Board Ft800, Jumpers, Manuale Dell'utente, Cd |MIKROELEKTRONIKA MIKROE-1429
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Optoelettronica e display
  • Mikroelektronika
    • Eve Click, Controllore Scheda; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Contenuto Kit:Eve Click Board Ft800; Numero Core Chip:Ft800; Produttore Chip:Ftdi; Utilizzare Con:Schermi |MIKROELEKTRONIKA MIKROE-1430
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Optoelettronica e display
  • Mikroelektronika
    • PREVIOUS 295713 295714 295715 295716 295717 295718 295719 295720 295721 295722 295723 295724 295725 295726 295727 295728 295729 NEXT