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Mosfet, Canale N, 100V, 11.1A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11.1A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.017Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:5.7W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Mosfet, Canale N, 100V, 11.1A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11.1A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.017Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:5.7W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Vishay Si4056Dy-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SI4056DY-T1-GE3.

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    Mosfet, Canale P, 20V, 35A, Ppak1212-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-35A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0031Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-400Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:52W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Vishay Si7623Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SI7623DN-T1-GE3.

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    Mosfet, Canale N 100V, 11.3A, Ppaksc70-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11.3A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:19W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

    Vishay Sia416Dj-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SIA416DJ-T1-GE3.

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    Mosfet, Can P 20V, 29.7A, Powerpaksc70-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-29.7A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.012Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-400Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:19W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

    Vishay Sia437Dj-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Temperatura Di Esercizio Min:-50°C |VISHAY SIA437DJ-T1-GE3.

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    Vishay Sir826Adp-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SIR826ADP-T1-GE3.

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    • Mosfet, Canale N, 600V, 33A, D2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:33A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.083Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:278W; Modello Case Transistor:To-263; No.

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    Vishay Sihb33N60E-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SIHB33N60E-GE3.

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