Jfets (Effetto Campo A Giunzione); Tensione Di Rottura Vbr:40V; Corrente Drain Min A Tensione Gate Nulla Idss:8Ma; Corrente Drain Max A Tensione Gate Nulla Idss:80Ma; Tensione Di Cutoff Gate-Source Vgs (Off) Max:4V; Mode |ONSEMI BSR58

Morsetto Pcb Oriz Smd 4 Vie 5.08Mm Pch; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

Phoenix Contact Spt-Smd 1,5/ 4-H-5,08 Di Posizioni:4Vie; Dimensioni Filo Awg Min:24Awg; Dimensioni Filo Awg Max:16Awg; Area Conduttore Csa:1.5MmÂ²; Metodo Connessione Cavo:A Pressione; Corr |PHOENIX CONTACT SPT-SMD 1,5/ 4-H-5,08.

Articoli di ferramenta

Forniture elettriche

Connettori e terminali cavo

Connettori

Phoenix Contact

Morsetto Pcb Oriz Smd 8 Vie 5.08Mm Pch; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

5MmÂ²; Metodo Connessione Cavo:A Pressione; Corr |PHOENIX CONTACT SPT-SMD 1,5/ 8-H-5,08.Phoenix Contact Spt-Smd 1,5/ 8-H-5,08 Di Posizioni:8Vie; Dimensioni Filo Awg Min:24Awg; Dimensioni Filo Awg Max:16Awg; Area Conduttore Csa:1.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Accessori per circuiti stampati

Connettori

Phoenix Contact

Morsetto Pcb Oriz Smd 12Vie 5.08Mm Pch; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

5MmÂ²; Metodo Connessione Cavo:A Pressione; Cor |PHOENIX CONTACT SPT-SMD 1,5/12-H-5,08.

Articoli di ferramenta

Forniture elettriche

Connettori e terminali cavo

Connettori

Phoenix Contact

Scheda Sviluppo Cortex-M0 Mcu Automotive; Produttore Chip:Nxp; No.

Nxp Trk-Kea8 Di Bit:32Bit; Nome Famiglia Dispositivi:Kinetis - Ea; Architettura Core:Arm; Sub-Architettura Core:Cortex-M0+; Numero Core Chip:Kea8; Contenuto Kit:Sched |NXP TRK-KEA8.

Dispositivi elettronici

Accessori dispositivi elettronici

Componenti per computer

CPU

Computer embedded,Education e Maker Boards

Nxp

Scheda Sviluppo Cortex-M0 Mcu Automotive; Produttore Chip:Nxp; No.

Nxp Trk-Kea128 Di Bit:32Bit; Nome Famiglia Dispositivi:Kinetis - Ea; Architettura Core:Arm; Sub-Architettura Core:Cortex-M0+; Numero Core Chip:Kea128; Contenuto Kit:Dev |NXP TRK-KEA128.

Dispositivi elettronici

Accessori dispositivi elettronici

Componenti per computer

CPU

Computer embedded,Education e Maker Boards

Nxp

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:150V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:3Îs; Corrente Di Picco |ONSEMI 1N3595TR

Onsemi 1N3595Tr.

Morsetto Pcb Oriz Smd 4 Vie 5.08Mm Pch; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

Morsetto Pcb Oriz Smd 8 Vie 5.08Mm Pch; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

Morsetto Pcb Oriz Smd 12Vie 5.08Mm Pch; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

Scheda Sviluppo Cortex-M0 Mcu Automotive; Produttore Chip:Nxp; No.

Scheda Sviluppo Cortex-M0 Mcu Automotive; Produttore Chip:Nxp; No.

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:150V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:3Îs; Corrente Di Picco |ONSEMI 1N3595TR

Mosfet, Can N 60V, 0.2A, To-92,full Reel; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:200Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |ONSEMI 2N7000-D26Z

Logic - Buffer, Driver, Ricevitori; Tipo Di Dispositivo Logico:Buffer, Non Invertente; Famiglia Logica/Numero Base:74Act244; Modello Case Ci Logico:Tssop; No.

Diodi, Raddrizzatori - Array; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:90V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrente Di Picc

Diodi, Raddrizzatori - Array; Configurazione Diodo:Serie, Doppio; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:250V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrente

Transistor (Bjt) - Singolo; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Corrente Di Collettore Cc:-800Ma; Guadagno Di Corre |ONSEMI BC32725TA

Transistor (Bjt) - Singolo; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:1.5W; Corrente Di Collettore Cc:1.5A; Guadagno Di Corrente Cc Hf

Transistor (Bjt) - Singolo; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:350Mw; Corrente Di Collettore Cc:500Ma; Guadagno Di Corrente Cc |ONSEMI BCV71

Jfets (Effetto Campo A Giunzione); Tensione Di Rottura Vbr:40V; Corrente Drain Min A Tensione Gate Nulla Idss:8Ma; Corrente Drain Max A Tensione Gate Nulla Idss:80Ma; Tensione Di Cutoff Gate-Source Vgs (Off) Max:4V; Mode |ONSEMI BSR58

Fets - Singolo; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:220Ma; Tensione Drain Source Vds:50V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia Vgs:600Mv; |ONSEMI BSS138K

Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1.5A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Dip; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; No.

Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):1.5A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Dip; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; No.

Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):1.5A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Dip; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; No.

Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):1.5A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Dip; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; No.

Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:800V; Corrente Diretta If(Av):1.5A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Dip; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; No.

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrente Di Picco D |ONSEMI EGF1D

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:920Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:15Ns; Corrente Di Picco |ONSEMI ES1A

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:920Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:15Ns; Corrente Di Picc |ONSEMI ES1B

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corrente Di Picco |ONSEMI ES1G

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:950Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente Di Picc |ONSEMI ES3B

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:950Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente Di Picc |ONSEMI ES3D

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Îs; Corrente Di Picco Di |ONSEMI GF1B

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1Kv; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.2V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Îs; Corrente Di Picco D |ONSEMI GF1M

Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Soic; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.

Diodi, Raddrizzatori - Array; Configurazione Diodo:Anodo Comune, Doppio; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corren |ONSEMI MMBD4148CA

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:150V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:3Îs; Corrente Di Picco |ONSEMI 1N3595TR

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Îs; Corrente Di Picco Di |ONSEMI GF1B

Diodi, Raddrizzatori - Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1Kv; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.2V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Îs; Corrente Di Picco D |ONSEMI GF1M