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Mosfet, Canale P, -30V, -100A, Tdson-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-100A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:125W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

Mosfet, Canale P, -30V, -100A, Tdson-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-100A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:125W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

Infineon Bsc030P03Ns3Gauma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Case Transistor Rf:Tdson; Numero Di Pin:8 Pin |INFINEON BSC030P03NS3GAUMA1.

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    • Mosfet, Canale N, 30V, 2.3A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.044Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale N, 30V, 2.3A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.044Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Infineon Bss306Nh6327Xtsa1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Case Transistor Rf:Sot-23; Numero Di Pin:3 Pin |INFINEON BSS306NH6327XTSA1.

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    • Mosfet, Canale N, 20V, 2.3A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.041Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):2.5V; Tensione Di Soglia Vgs:550Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale N, 20V, 2.3A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.041Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):2.5V; Tensione Di Soglia Vgs:550Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Infineon Bss806Nh6327Xtsa1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Case Transistor Rf:Sot-23; Numero Di Pin:3 Pin |INFINEON BSS806NH6327XTSA1.

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    • Mosfet, Canale P, -30V, -50A, To-252-5; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0057Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:150W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Mosfet, Canale P, -30V, -50A, To-252-5; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0057Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:150W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Infineon Spd50P03Lgbtma1 Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Case Transistor Rf:To-252; Numero Di Pin:5 Pin |INFINEON SPD50P03LGBTMA1.

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    • Mosfet, Dual N Ch, 60V, 0.3A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Mosfet, Dual N Ch, 60V, 0.3A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Infineon 2N7002Dwh6327Xtsa1 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Numero Di Pin:6 Pin |INFINEON 2N7002DWH6327XTSA1.

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    • Mosfet, N Ch, 60V, 0.3A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, N Ch, 60V, 0.3A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Infineon 2N7002H6327Xtsa2 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Numero Di Pin:3 Pin |INFINEON 2N7002H6327XTSA2.

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    • Mosfet, N & P Ch, 20V, 0.95A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Complemento N E P; Corrente Continua Di Drain Id:950Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.266Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:950Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Mosfet, N & P Ch, 20V, 0.95A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Complemento N E P; Corrente Continua Di Drain Id:950Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.266Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:950Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Infineon Bsd235Ch6327Xtsa1 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Numero Di Pin:6 Pin |INFINEON BSD235CH6327XTSA1.

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    • Mosfet, Dual N Ch, 20V, 0.95A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:950Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.266Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:950Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Mosfet, Dual N Ch, 20V, 0.95A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:950Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.266Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:950Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Infineon Bsd235Nh6327Xtsa1 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Aec-Q101; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Numero Di Pin:6 Pin |INFINEON BSD235NH6327XTSA1.

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    • Mosfet, Dual N Ch, 20V, 0.88A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:880Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.27Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):2.5V; Tensione Di Soglia Vgs:550Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Mosfet, Dual N Ch, 20V, 0.88A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:880Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.27Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):2.5V; Tensione Di Soglia Vgs:550Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Infineon Bsd840Nh6327Xtsa1 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Numero Di Pin:6 Pin |INFINEON BSD840NH6327XTSA1.

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  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N Ch, 600V, 0.021A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):310Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, N Ch, 600V, 0.021A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):310Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Infineon Bss127H6327Xtsa2 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Numero Di Pin:3 Pin |INFINEON BSS127H6327XTSA2.

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  • Infineon
    • Mosfet, N Ch, 60V, 0.23A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:230Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:360Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, N Ch, 60V, 0.23A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:230Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:360Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Infineon Bss159Nh6327Xtsa2 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Numero Di Pin:3 Pin |INFINEON BSS159NH6327XTSA2.

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    • Mosfet, P Ch, -20V, -1.5A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.105Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-900Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, P Ch, -20V, -1.5A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.105Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-900Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Infineon Bss215Ph6327Xtsa1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Numero Di Pin:3 Pin |INFINEON BSS215PH6327XTSA1.

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    • Mosfet, P Ch, -30V, -1.5A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.113Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, P Ch, -30V, -1.5A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.113Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Infineon Bss315Ph6327Xtsa1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Numero Di Pin:3 Pin |INFINEON BSS315PH6327XTSA1.

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  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, P Ch, -20V, -1.5A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.131Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-900Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:560Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Mosfet, P Ch, -20V, -1.5A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.131Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-900Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:560Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Infineon Bsv236Sph6327Xtsa1 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Numero Di Pin:6 Pin |INFINEON BSV236SPH6327XTSA1.

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  • Infineon
    • Transistor Digitali Af; Polarità Transistor:-; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Corrente Di Collettore Cc:-; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:-; Modello Case Transistor:-; No.
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  • Infineon
    • Transistor Digitali Af; Polarità Transistor Digitale:Npn Singolo; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Resistore R2 Base-Emettitore:47Kohm; Rapporto Resistenze R1/R2:0.21Rapporto; Case Transistor Rf:Sot-23; Numero Di Pin:3 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Dual N Ch, 60V, 0.3A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):1 |INFINEON 2N7002DWH6327XTSA1
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  • Transistor
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  • Infineon
    • Mosfet, N Ch, 60V, 0.3A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |INFINEON 2N7002H6327XTSA2
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    • Mosfet, N & P Ch, 20V, 0.95A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Complemento N E P; Corrente Continua Di Drain Id:950Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.266Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(O |INFINEON BSD235CH6327XTSA1
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    • Mosfet, Dual N Ch, 20V, 0.95A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:950Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.266Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On |INFINEON BSD235NH6327XTSA1
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  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Dual N Ch, 20V, 0.88A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:880Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.27Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On) |INFINEON BSD840NH6327XTSA1
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  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N Ch, 600V, 0.021A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21Ma; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):310Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON BSS127H6327XTSA2
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  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N Ch, 60V, 0.23A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:230Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |INFINEON BSS159NH6327XTSA2
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  • Infineon
    • Mosfet, P Ch, -20V, -1.5A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.105Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Te |INFINEON BSS215PH6327XTSA1
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    • Mosfet, P Ch, -30V, -1.5A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.113Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Ten |INFINEON BSS315PH6327XTSA1
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    • Mosfet, P Ch, -20V, -1.5A, Sot-363-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.131Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; T |INFINEON BSV236SPH6327XTSA1
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    • Diodi Af; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:80V; Corrente Diretta If(Av):250Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:4.
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    • Diodi Af; Configurazione Diodo:Isolato, Triple; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):250Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrente Di Picco Diretta I |INFINEON BAS21UE6327HTSA1
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    • Transistor Digitali Af; Polarità Transistor Digitale:Complemento Npn E Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Resistore R2 Base-E |INFINEON BCR10PNH6327XTSA1
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    • Transistor Digitali Af; Polarità Transistor:-; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Corrente Di Collettore Cc:-; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:-; Modello |INFINEON BCR112E6327HTSA1
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