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Mosfet, Canale N, 100V, 34A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:34A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |ONSEMI FDD3670
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    Onsemi Fdb2710 Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDB2710.

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    Onsemi Fdb28N30Tm Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDB28N30TM.

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    Onsemi Fdb44N25Tm Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDB44N25TM.

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    Mosfet, Canale N, 200V, 52A, To-263Ab-2; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:52A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.041Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:5V; Dissipazione Di Potenza Pd:357W; Modello Case Transistor:To-263Ab; No.

    Onsemi Fdb52N20Tm Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDB52N20TM.

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    Mosfet, 2 Can P, -20V, -2.2A, Sot-23-6; Polarità Transistor:Canale P Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:-2.2A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:960Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Onsemi Fdc6310P Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDC6310P.

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    Mosfet, Canale N, 75V, 50A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.013Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:135W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Onsemi Fdd16An08A0 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDD16AN08A0.

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    Mosfet, Canale N, 100V, 34A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:34A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Onsemi Fdd3670 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDD3670.

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    Mosfet, Canale P, -35V, -13A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-13A; Tensione Drain Source Vds:-35V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0097Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:57W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Onsemi Fdd6637 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDD6637.

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    Mosfet, Canale N, 30V, 58A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:58A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.007Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:55W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Onsemi Fdd8880 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDD8880.

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    • Mosfet, Canale N, 200V, 52A, To-220Ab-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:52A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.041Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |ONSEMI FDP52N20
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    • Mosfet, Canale N, 200V, 3.9A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.9A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.059Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |ONSEMI FDS2672
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    • Mosfet, Dop Can P, -25V, -0.41A, Sc-70-6; Polarità Transistor:Canale P Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:-410Ma; Tensione Drain Source Vds:-25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.85Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-820Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    Mosfet, Dop Can P, -25V, -0.41A, Sc-70-6; Polarità Transistor:Canale P Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:-410Ma; Tensione Drain Source Vds:-25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.85Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-820Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    Onsemi Fdg6304P Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDG6304P.

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    • Mosfet, Doppio Can N, 20V, 0.7A, Sc-70-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:700Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    Mosfet, Doppio Can N, 20V, 0.7A, Sc-70-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:700Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    Onsemi Fdg6317Nz Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDG6317NZ.

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    • Mosfet, Doppio Can N, 20V, 0.7A, Sc-70-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:700Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.18Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    Mosfet, Doppio Can N, 20V, 0.7A, Sc-70-6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:700Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.18Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    Onsemi Fdg6335N Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDG6335N.

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    • Mosfet, Canale N, 200V, 3.9A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.9A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.059Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet, Canale N, 200V, 3.9A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.9A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.059Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Onsemi Fds2672 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDS2672.

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    • Mosfet, Canale N, 250V, 3A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.097Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |ONSEMI FDS2734
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