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Standard, 1A, 800V, Do-214Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:800V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:1.8Μs; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.
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    Mosfet, Canale N, 60V, 0.31A, Sot-323-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:310Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Modello Case Transistor:Sot-323; No.

    Onsemi 2N7002Kw Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI 2N7002KW.

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    Mosfet, Canale N, 50V, 0.21A, Sot-323-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:210Ma; Tensione Drain Source Vds:50V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.17Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.3V; Dissipazione Di Potenza Pd:340Mw; Modello Case Transistor:Sot-323; No.

    Onsemi Bss138W Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI BSS138W.

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    Mosfet, Canale N, 100V, 32A, To-263Ab-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:32A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:95W; Modello Case Transistor:To-263Ab; No.

    Onsemi Fdb3682 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDB3682.

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    Onsemi Fdc2612 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDC2612.

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    Mosfet, Canale N, 150V, 21A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:95W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Onsemi Fdd2582 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDD2582.

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    Mosfet, Canale N, 30V, 94A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:94A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0047Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:80W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Onsemi Fdd8896 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FDD8896.

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    • Mosfet, Ch N & P, 130V, 6.4A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:6.4A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet, Ch N & P, 130V, 6.4A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:6.4A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Onsemi Fds8958B Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDS8958B.

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    • Mosfet, Canale P, -20V, -0.83A, Sc-89-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-830Ma; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.28Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-700Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Modello Case Transistor:Sc-89; No.

    Mosfet, Canale P, -20V, -0.83A, Sc-89-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-830Ma; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.28Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-700Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Modello Case Transistor:Sc-89; No.

    Onsemi Fdy102Pz Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI FDY102PZ.

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    • Mosfet, Canale N, 60V, 11A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.092Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:28W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Mosfet, Canale N, 60V, 11A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.092Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:28W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Onsemi Fqd13N06Ltm Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FQD13N06LTM.

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    • Mosfet, Canale N, 100V, 10A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.142Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:40W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Mosfet, Canale N, 100V, 10A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.142Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:40W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Onsemi Fqd13N10Ltm Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FQD13N10LTM.

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    • Mosfet, Canale N, 100V 15.6A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:15.6A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.074Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:50W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Mosfet, Canale N, 100V 15.6A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:15.6A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.074Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:50W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Onsemi Fqd19N10Ltm Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FQD19N10LTM.

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  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N, 200V, 0.85A, Sot-223-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

    Mosfet, Canale N, 200V, 0.85A, Sot-223-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

    Onsemi Fqt4N20Ltf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI FQT4N20LTF.

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  • Transistor
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  • Onsemi
    • Di Pin:6Pin; Corrente Diretta If Max:60Ma; Tensione Di Isolamento:7.5Kv; Ctr Min.:100%; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:30V; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.

    Di Pin:6Pin; Corrente Diretta If Max:60Ma; Tensione Di Isolamento:7.5Kv; Ctr Min.:100%; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:30V; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); No.

    Di Canali:1Canali |ONSEMI H11AA4SR2M Optocoupler, Transistor, 7.5Kv, Sm Dip-6; Numero Di Canali:1 Canale; Stile Involucro Accoppiatore Ottico:Montaggio In Superficie Dip; No.

  • Dispositivi elettronici
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  • Transistor
  • Optoelettronica e display
  • Onsemi
    • Igbt, Singolo, 1.2Kv, 35A, To-263Ab-3; Corrente Di Collettore Cc:35A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.45V; Dissipazione Di Potenza Pd:298W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.2Kv; Modello Case Transistor:To-263Ab; No.

    Igbt, Singolo, 1.2Kv, 35A, To-263Ab-3; Corrente Di Collettore Cc:35A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.45V; Dissipazione Di Potenza Pd:298W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.2Kv; Modello Case Transistor:To-263Ab; No.

    Onsemi Hgt1S10N120Bnst Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI HGT1S10N120BNST.

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  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N, 150V, 21A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |ONSEMI FDD2582
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N, 30V, 94A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:94A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0047Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |ONSEMI FDD8896
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  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N, 60V, 18A, To-220Ab-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0043Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |ONSEMI FDP050AN06A0
  • Dispositivi elettronici
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  • Onsemi
    • Mosfet, Ch N & P, 130V, 6.4A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:6.4A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |ONSEMI FDS8958B
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  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale P, -20V, -0.83A, Sc-89-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-830Ma; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.28Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V |ONSEMI FDY102PZ
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    • Mosfet, Canale N, 60V, 11A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.092Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |ONSEMI FQD13N06LTM
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    • Mosfet, Canale N, 100V, 10A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.142Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |ONSEMI FQD13N10LTM
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    • Mosfet, Canale N, 100V 15.6A, To-252Aa-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:15.6A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.074Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |ONSEMI FQD19N10LTM
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