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Dac, 8Bit, 3.4Msps, Tssop-8; Risoluzione (Bit):8Bit; Frequenza Di Campionamento:3.4Msps; Interfaccia Dati:I2C; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 1,8V A 5,5V; Modello Case Adc/Dac:Tssop; No.
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    • Diodo, Protezione Esd, 5.5V, Dfn-2; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:19V; Modello Involucro Diodo:Dfn; No.

    Diodo, Protezione Esd, 5.5V, Dfn-2; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:19V; Modello Involucro Diodo:Dfn; No.

    Onsemi Esd8011Mut5G Di Pin:2Pin; Tensione Di Funzionamento:5.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Gamma Prodotti:Esd80 Series; Standard Di |ONSEMI ESD8011MUT5G.

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    • Diodo, Schottky, 2A, 45V, Sod-123-2; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:45V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Sod-123; No.

    Diodo, Schottky, 2A, 45V, Sod-123-2; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:45V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Sod-123; No.

    Onsemi Nrvts245Esft1G Di Pin:2Pin; Tensione Diretta Vf Max:650Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:50A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Nrvts Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Tecnologia Semiconduttori:Si; Tipo Di Diodo:Schottky |ONSEMI NRVTS245ESFT1G.

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    • Mosfet Canale N, 30V, Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:78A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:33W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Mosfet Canale N, 30V, Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:78A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:33W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Onsemi Ntmfs4C05Nt1G Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NTMFS4C05NT1G.

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    Mosfet Canale N, 30V, Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:69A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:30.5W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Onsemi Ntmfs4C06Nt1G Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NTMFS4C06NT1G.

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    Mosfet Canale N, 30V, Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:52A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:25.5W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Onsemi Ntmfs4C09Nt1G Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NTMFS4C09NT1G.

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    Diodo, Protezione Esd, 5.5V, Dfn-2; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:19V; Modello Involucro Diodo:Dfn; No.

    5V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Gamma Prodotti:Esd80 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI ESD8011MUT5G.

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    Mosfet Canale N, 30V, Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:46A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:23.6W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Onsemi Ntmfs4C10Nt1G Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NTMFS4C10NT1G.

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    • Mosfet Canale N, 26V, Sc-89-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:915Ma; Tensione Drain Source Vds:26V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.127Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione D |ONSEMI NVE4153NT1G
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  • Utensili
  • Strumenti/sensori misurazione
  • Termometri a infrarossi
  • Test e misurazioni
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    • Contatto, Presa, 11-13Awg, Crimpare; Gamma Prodotti:Serie Jpt; Rivestimento Contatto:Contatti Placcati In Argento; Materiale Contatto:Rame, Ferro; Genere Contatto:Presa; Tipo Terminazione Contatto:A Crimpare; Dimensioni |AMP - TE CONNECTIVITY 927829-5
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  • Connettori
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    • Contenitore, Box, Policarbonato, Grigio; Tipo Di Custodia:Multiuso; Materiale Custodia:Policarbonato; Altezza Esterna - Metrica:60Mm; Larghezza Esterna - Metrica:100Mm; Profondità Esterna - Metrica:100Mm; Categoria Ip:Ip |FIBOX PCM 95/60 G ENCLOSURE
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    • Contenitore, Box, Policarbonato, Grigio; Tipo Di Custodia:Multiuso; Materiale Custodia:Policarbonato; Altezza Esterna - Metrica:60Mm; Larghezza Esterna - Metrica:130Mm; Profondità Esterna - Metrica:130Mm; Categoria Ip:Ip |FIBOX PCM 125/60 G ENCLOSURE
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    • Contenitore, Box, Policarbonato, Grigio; Tipo Di Custodia:Multiuso; Materiale Custodia:Policarbonato; Altezza Esterna - Metrica:125Mm; Larghezza Esterna - Metrica:80Mm; Profondità Esterna - Metrica:130Mm; Categoria Ip:Ip |FIBOX PC 100/125 HG ENCLOSURE
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    • Mosfet Canale N, 26V, Sc-89-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:915Ma; Tensione Drain Source Vds:26V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.127Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:760Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Modello Case Transistor:Sc-89; No.

    Mosfet Canale N, 26V, Sc-89-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:915Ma; Tensione Drain Source Vds:26V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.127Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:760Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Modello Case Transistor:Sc-89; No.

    Onsemi Nve4153Nt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI NVE4153NT1G.

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