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Mosfet, N-Ch, 80V, 62A, Sot-669-4; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:62A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0113Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:147W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

Mosfet, N-Ch, 80V, 62A, Sot-669-4; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:62A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0113Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:147W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

Nexperia Psmn014-80Ylx Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA PSMN014-80YLX.

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    Mosfet, N-Ch, 80V, 37A, Sot-669-4; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:37A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0205Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:95W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn025-80Ylx Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA PSMN025-80YLX.

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    Mosfet, N-Ch, 100V, 69A, Sot-669-4; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:69A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0116Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:195W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn015-100Ylx Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA PSMN015-100YLX.

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    Mosfet, N-Ch, 100V, 49A, Sot-669-4; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:49A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0168Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:147W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn021-100Ylx Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA PSMN021-100YLX.

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    Mosfet, Aec-Q101, P-Ch, -60V, -120A; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-120A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0056Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:375W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Vishay Sqm120P06-07L_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQM120P06-07L_GE3.

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    Mosfet, Auto, Ca-N&p, -60V, -5.3A, Tsop; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-5.3A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.079Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:5W; Modello Case Transistor:Tsop; No.

    Vishay Sq3427Aeev-T1_Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQ3427AEEV-T1_GE3.

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    Mosfet, Auto, Ca-N, 60V, 2,3A, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.3W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Sq2362Es-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQ2362ES-T1_GE3.

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    Mosfet, N-Ch, 60V, 53A, Sot-669-4; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:53A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0108Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:95W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

    Nexperia Psmn013-60Ylx Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA PSMN013-60YLX.

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    Mosfet, Auto, Ca-P, -60V, -1,6A, Sc70; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.6A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.23Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.3W; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

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    Mosfet, Auto, Ca-N, 60V, 2,3A, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.3W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Sq2308Ces-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQ2308CES-T1_GE3.

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    Mosfet, Auto, Ca-N, 60V, 2,3A, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.3W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Sq2318Aes-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQ2318AES-T1_GE3.

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    Mosfet, Auto, Ca-P, 60V, 2,3A, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:4.1A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):94Mohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.3W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Sq2389Es-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQ2389ES-T1_GE3.

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    Mosfet, Aec-Q101, P-Ch, -200V, -12A; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-12A; Tensione Drain Source Vds:-200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.178Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Vishay Sqj431Ep-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQJ431EP-T1_GE3.

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    • Mosfet, Auto, Ca-P, 60V, 2,3A, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.3W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Auto, Ca-P, 60V, 2,3A, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.3W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Sq2309Es-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQ2309ES-T1_GE3.

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    • Mosfet, Auto, Ca-P, -60V, -1,6A, Sc70; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.6A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.23Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Te |VISHAY SQ1421EDH-T1_GE3
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    • Mosfet, Auto, Ca-N, 60V, 2,3A, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |VISHAY SQ2308CES-T1_GE3
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    • Mosfet, Auto, Ca-N, 60V, 2,3A, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |VISHAY SQ2318AES-T1_GE3
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