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Schottky Aec-Q101, 60V Wdfn-8; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:60V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Wdfn; No.
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    • Diodo, Aec-Q101, Protezione Esd, Tsop; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:12V; Modello Involucro Diodo:Tsop; No.

    Diodo, Aec-Q101, Protezione Esd, Tsop; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:12V; Modello Involucro Diodo:Tsop; No.

    Onsemi Nsp4201Mr6T1G Di Pin:6Pin; Tensione Di Funzionamento:-; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica |ONSEMI NSP4201MR6T1G.

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    Induttore, Scher.

    55A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):680Ma; Gamma Prodotti:Srr4828A Series; Involucro Induttore Di Potenza:4,8Mm X 4,8Mm X 2,8Mm; Resistenza Cc Max:0.185Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |BOURNS SRR4828A-220M.Bourns Srr4828A-220M 22Uh, 20%, Aec-Q200; Induttanza:22Μh; Corrente Rms (Irms):1.

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    Bourns Srr4828A-330M 33Uh, 20%, Aec-Q200; Induttanza:33Μh; Corrente Rms (Irms):1.4A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):600Ma; Gamma Prodotti:Srr4828A Series; Involucro Induttore Di Potenza:4,8Mm X 4,8Mm X 2,8Mm; Resistenza Cc Max:0.

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    Bourns Srr4828A-470M 47Uh, 20%, Aec-Q200; Induttanza:47Μh; Corrente Rms (Irms):1.27Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |BOURNS SRR4828A-470M.2A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):470Ma; Gamma Prodotti:Srr4828A Series; Involucro Induttore Di Potenza:4,8Mm X 4,8Mm X 2,8Mm; Resistenza Cc Max:0.

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    32Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |BOURNS SRR4828A-560M.05A; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):400Ma; Gamma Prodotti:Srr4828A Series; Involucro Induttore Di Potenza:4,8Mm X 4,8Mm X 2,8Mm; Resistenza Cc Max:0.Bourns Srr4828A-560M 56Uh, 20%, Aec-Q200; Induttanza:56Μh; Corrente Rms (Irms):1.

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    Bourns Srr4828A-680M 68Uh, 20%, Aec-Q200; Induttanza:68Μh; Corrente Rms (Irms):900Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):380Ma; Gamma Prodotti:Srr4828A Series; Involucro Induttore Di Potenza:4,8Mm X 4,8Mm X 2,8Mm; Resistenza Cc Max:0.37Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |BOURNS SRR4828A-680M.

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    • Diodo, Aec-Q101, Protezione Esd, Sc-88; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:30V; Modello Involucro Diodo:Sc-88; No.

    Diodo, Aec-Q101, Protezione Esd, Sc-88; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:30V; Modello Involucro Diodo:Sc-88; No.

    Onsemi Szesd1L001W1T2G Di Pin:6Pin; Tensione Di Funzionamento:-; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI SZESD1L001W1T2G.

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    • Diodo, Aec-Q101, Protezione Esd, Sot-723; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:12.5V; Modello Involucro Diodo:Sot-723; No.

    Diodo, Aec-Q101, Protezione Esd, Sot-723; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:12.5V; Modello Involucro Diodo:Sot-723; No.

    Onsemi Szesd7205Dt5G Di Pin:3Pin; Tensione Di Funzionamento:-; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI SZESD7205DT5G.

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    • Schottky Aec-Q101, 60V Wdfn-8; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:60V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Wdfn; No.

    Schottky Aec-Q101, 60V Wdfn-8; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:60V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Wdfn; No.

    Onsemi Nrvts360Etfswftag.Di Pin:8Pin; Tensione Diretta Vf Max:900Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:50A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018); Tecnologia Semiconduttori:Si |ONSEMI NRVTS360ETFSWFTAG Rett.

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    • Diodo, Aec-Q101, Protezione Esd, Tsop; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:12V; Modello Involucro Diodo:Tsop; No.

    Diodo, Aec-Q101, Protezione Esd, Tsop; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:12V; Modello Involucro Diodo:Tsop; No.

    Onsemi Nsp4201Mr6T1G Di Pin:6Pin; Tensione Di Funzionamento:-; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI NSP4201MR6T1G.

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    • Diodo, Protezione Esd, 13,5V, Udfn; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:21.5V; Modello Involucro Diodo:Udfn; No.

    Diodo, Protezione Esd, 13,5V, Udfn; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:21.5V; Modello Involucro Diodo:Udfn; No.

    Onsemi Nspm5131Mutbg Di Pin:6Pin; Tensione Di Funzionamento:-; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica A |ONSEMI NSPM5131MUTBG.

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    • Diodo, Protezione Esd, 13,5V, Udfn; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:21.5V; Modello Involucro Diodo:Udfn; No.

    Diodo, Protezione Esd, 13,5V, Udfn; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:21.5V; Modello Involucro Diodo:Udfn; No.

    Onsemi Nspm5131Mutbg Di Pin:6Pin; Tensione Di Funzionamento:-; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI NSPM5131MUTBG.

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    • Transistor, Rf, Npn, 8V, 0.15A, Sc-82Fl; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:8V; Frequenza Di Transizione Ft:16Ghz; Dissipazione Di Potenza Pd:400Mw; Corrente Di Collettore Cc:150Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:60Hfe; Case Transistor Rf:Sc-82Fl; No.

    Transistor, Rf, Npn, 8V, 0.15A, Sc-82Fl; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:8V; Frequenza Di Transizione Ft:16Ghz; Dissipazione Di Potenza Pd:400Mw; Corrente Di Collettore Cc:150Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:60Hfe; Case Transistor Rf:Sc-82Fl; No.

    Onsemi Nsvf4020Sg4T1G Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI NSVF4020SG4T1G.

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    • Transistor, Rf, Npn, 12V, 0.15A, Cph-6; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:12V; Frequenza Di Transizione Ft:7Ghz; Dissipazione Di Potenza Pd:800Mw; Corrente Di Collettore Cc:150Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Case Transistor Rf:Cph; No.

    Transistor, Rf, Npn, 12V, 0.15A, Cph-6; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:12V; Frequenza Di Transizione Ft:7Ghz; Dissipazione Di Potenza Pd:800Mw; Corrente Di Collettore Cc:150Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Case Transistor Rf:Cph; No.

    Onsemi Nsvf6003Sb6T1G Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI NSVF6003SB6T1G.

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    • Induttore, Scher.

    Induttore, Scher.

    48Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |BOURNS SRR4828A-820M.Bourns Srr4828A-820M 82Uh, 20%, Aec-Q200; Induttanza:82Μh; Corrente Rms (Irms):850Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):350Ma; Gamma Prodotti:Srr4828A Series; Involucro Induttore Di Potenza:4,8Mm X 4,8Mm X 2,8Mm; Resistenza Cc Max:0.

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    Induttore, Scher.

    6Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |BOURNS SRR4828A-101M.Bourns Srr4828A-101M 100Uh, 20%, Aec-Q200; Induttanza:100Μh; Corrente Rms (Irms):700Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):330Ma; Gamma Prodotti:Srr4828A Series; Involucro Induttore Di Potenza:4,8Mm X 4,8Mm X 2,8Mm; Resistenza Cc Max:0.

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  • Circuiti stampati e componenti
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  • Induttori
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  • Bourns
    • Induttore, Scher.

    Induttore, Scher.

    Bourns Srr4828A-121M 120Uh, 20%, Aec-Q200; Induttanza:120Μh; Corrente Rms (Irms):650Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):300Ma; Gamma Prodotti:Srr4828A Series; Involucro Induttore Di Potenza:4,8Mm X 4,8Mm X 2,8Mm; Resistenza Cc Max:0.76Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |BOURNS SRR4828A-121M.

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    Induttore, Scher.

    86Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |BOURNS SRR4828A-151M.

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    Induttore, Scher.

    Bourns Srr4828A-181M 180Uh, 20%, Aec-Q200; Induttanza:180Μh; Corrente Rms (Irms):550Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):260Ma; Gamma Prodotti:Srr4828A Series; Involucro Induttore Di Potenza:4,8Mm X 4,8Mm X 2,8Mm; Resistenza Cc Max:1.08Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |BOURNS SRR4828A-181M.

  • Dispositivi elettronici
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  • Componenti passivi circuiti
  • Induttori
  • Componenti passivi
  • Bourns
    • Induttore, Scher.

    Induttore, Scher.

    Bourns Srr4828A-221M 220Uh, 20%, Aec-Q200; Induttanza:220Μh; Corrente Rms (Irms):500Ma; Struttura Induttore:Schermato; Corrente Di Saturazione (Isat):240Ma; Gamma Prodotti:Srr4828A Series; Involucro Induttore Di Potenza:4,8Mm X 4,8Mm X 2,8Mm; Resistenza Cc Max:1.25Ohm; Tolleranza Induttanza:± 20%; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |BOURNS SRR4828A-221M.

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    • Schottky 30V 3A Sod-523; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:30V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Sod-523; No.

    Schottky 30V 3A Sod-523; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:30V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Sod-523; No.

    Onsemi Nsr05T30Xv2T5G.Di Pin:2Pin; Tensione Diretta Vf Max:450Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:3A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Tecnologia Semiconduttori:Si |ONSEMI NSR05T30XV2T5G Rett.

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  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Schottky 30V 3A Sod-523; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:30V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Sod-523; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Rf, Npn, 8V, 0.15A, Sc-82Fl; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:8V; Frequenza Di Transizione Ft:16Ghz; Dissipazione Di Potenza Pd:400Mw; Corrente Di Collettore Cc:150Ma; Guadagno |ONSEMI NSVF4020SG4T1G
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  • Circuiti stampati e componenti
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  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Rf, Npn, 12V, 0.15A, Cph-6; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:12V; Frequenza Di Transizione Ft:7Ghz; Dissipazione Di Potenza Pd:800Mw; Corrente Di Collettore Cc:150Ma; Guadagno |ONSEMI NSVF6003SB6T1G
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  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Ca-N, 60V, 25A, Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.018Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:28W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Mosfet, Ca-N, 60V, 25A, Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.018Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:28W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Onsemi Ntmfs5C682Nlt1G Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NTMFS5C682NLT1G.

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  • Transistor
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  • Onsemi
    • Mosfet, Ca-N, 30V, 170A, Wdfn-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:170A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:91W; Modello Case Transistor:Wdfn; No.

    Mosfet, Ca-N, 30V, 170A, Wdfn-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:170A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:91W; Modello Case Transistor:Wdfn; No.

    Onsemi Nttfs4C02Ntag Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NTTFS4C02NTAG.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N Aec-Q101 60V 71A Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:71A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0051Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:61W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Mosfet, Canale N Aec-Q101 60V 71A Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:71A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0051Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:61W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Onsemi Nvmfs5C670Nlwfaft1G Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NVMFS5C670NLWFAFT1G.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N Aec-Q101 60V 50A Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:46W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Mosfet, Canale N Aec-Q101 60V 50A Dfn-5; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:46W; Modello Case Transistor:Dfn; No.

    Onsemi Nvmfs5C673Nlwfaft1G Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NVMFS5C673NLWFAFT1G.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Ca-N, Aec-Q101 40V 107A Wdfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:107A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:68W; Modello Case Transistor:Wdfn; No.

    Mosfet, Ca-N, Aec-Q101 40V 107A Wdfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:107A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:68W; Modello Case Transistor:Wdfn; No.

    Onsemi Nvtfs5C453Nlwftag Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NVTFS5C453NLWFTAG.

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